| 摘要 |
<p>Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (100), die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (10) enthält, mit elektrischen Kontakten (30, 40) zur Stromeinprägung in die Mehrschichtstruktur (100), und mit einer strahlungsdurchlässigen Fensterschicht (20). Die Fensterschicht ist ausschliesslich an der von einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements abgewandten Seite der Mehrschichtstruktur (100) angeordnet und weist mindestens eine Seitenwand auf, die einen schräg, konkav oder stufenartig zu einer senkrecht Mehrschichtenfolge stehenden Mittelachse des Halbleiterkörpers hin verlaufenden ersten Seitenwandteil (20a) enthält. Gesehen von der Mehrschichtstruktur geht im weiteren Verlauf zur Rückseite hin die Seitenwand in einen senkrecht zur Mehrschichtstruktur, das heisst parallel zur Mittelachse verlaufenden zweiten Seitenwandteil (20b) über und der den zweiten Seitenwandteil (20b) umfassende Teil der Fensterschicht (20) bildet einen Montagesockel für das Halbleiterbauelement aus. Die ersten und zweiten Seitenwandteile werden besonders bevorzugt mittels eines Sägeblattes mit Formrand hergestellt. Bei einem bevorzugten optischen Bauelement ist das Halbleiterbauelement mit der Fensterschicht nach unten in eine Reflektorwanne montiert.</p> |
