| 摘要 |
<p>L'invention concerne un circuit intégré à semi-conducteur présentant une interconnexion multiniveau et une interconnexion en cuivre. Le coût des mesures correctives apportées au défaut du circuit et le coût de l'ajustage sont réduits. Des adresses de correction d'un défaut dans un réseau de mémoire dans le semi-conducteur sont stockées dans un dispositif à mémoire rémanente dans lequel la première couche de polysilicium est utilisée contre électrode flottante. Le dispositif à mémoire rémanente est programmé pendant l'essai du circuit intégré à semi-conducteur. Aucun processus spécial n'est nécessaire pour fabriquer le dispositif à mémoire rémanente. Ainsi, le dispositif à mémoire rémanente peut être fabriqué dans le processus de fabrication d'un dispositif CMOS. Etant donné que le dispositif à mémoire rémanente est programmé pendant l'essai, aucun laser de programmation n'est nécessaire et le temps requis pour la programmation est raccourci, réduisant ainsi le coût d'essais.</p> |
