发明名称 Verfahren zum Ansteuern eines kathoden- und anodenseitig steuerbaren Vierschichtbauelements
摘要 Verfahren zum Ansteuern eines kathoden- und anodenseitig steuerbaren Vierschichtbauelements, insbesondere eines Thyristors, mit zugeordnetem Freilauf- oder Zwischenkreiszweig, umfassend ein Freilaufbauelement, insbesondere eine Freilaufdiode, mit folgenden Schritten: DOLLAR A zum Einschalten des Vierschichtbauelements werden der Anodenanschluss und der anodenseitige Gateanschluss über ein Schaltelement miteinander niederohmig verbunden, DOLLAR A an den kathodenseitigen Gateanschluss wird zur Steuerung der Stromsteilheit di/dt und Begrenzung der Spannungsänderungsgeschwindigkeit am Freilaufbauelement ein positiver Steuerstrom gelegt, DOLLAR A nach Ablauf einer Zeit DELTAt, innerhalb welcher das Freilaufbauelement einen Zustand einnehmen kann, in dem es Spannung tragen kann, wird das Schaltelement geöffnet und die niederohmige Verbindung getrennt.
申请公布号 DE10029430(C1) 申请公布日期 2001.08.09
申请号 DE20001029430 申请日期 2000.06.15
申请人 SIEMENS AG 发明人 BAKRAN, MARK;TEIGELKOETTER, JOHANNES
分类号 H03K17/0812;H03K17/16;(IPC1-7):H03K17/72 主分类号 H03K17/0812
代理机构 代理人
主权项
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