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发明名称 IMPROVED GATE ELECTRODE CONNECTION STRUCTURE BY IN SITU CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TUNGSTEN AND TUNGSTEN NITRIDE
摘要
申请公布号 KR20010070961(A) 申请公布日期 2001.07.28
申请号 KR1020017000614 申请日期 2001.01.15
申请人 发明人
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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