| 摘要 |
一种制作金属内连线的方法，将一绝缘层形成于介电层(dielectric layer)之上且定义出导线图案(pattern),再形成一阻障层(barrier Iayer)于绝缘层与介电层的表面，然后将金属晶种(seed)生成于此阻障层表面，以电镀(electroplating)或其他方法在阻障层上形成一金属层，最后以化学机械研磨法(chemical mechanical polishing, CMP)除去多余的金属层且将该金属层予以回火处理(annealing)。由此法所制作之导线层,将减少碟陷(dishing)及陷蚀(erosion)的产生，亦可降低阻值及增进电子迁移阻抗(electromigration resistance),且因化学机械研磨所造成的导线表面粗糙及孔隙等缺陷( defect),亦可消除。 |
| 主权项 |
1.一种制作铜导线的方法至少包含:形成一氧化层于一介电层上且定义出导线的图案;形成一阻障层于该氧化层与该介电层的表面上;以物理气相沉积法形成铜晶种于该阻障层上;以电镀法形成一铜金属层于该阻障层上;以化学机械研磨法除去多余的该铜金属层及氧化层上方的该阻障层;及将该铜金属层回火处理。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导线图案至少可用光罩及微影的方法于将该图案定义于一光阻层上,再用该光阻层定义该图案于该氧化层上,再以蚀刻的方法除去不必要的部分,最后移除该光阻层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之铜与该阻障层之研磨选择比大约为3。4.一种制作铜导线的方法至少包含:形成一绝缘层于一介电层上且定义出导线图案;形成一阻障层于该绝缘层与该介电层的表面;形成金属晶种于该阻障层上;形成一金属层于该阻障层上;除去多余的该金属层及绝缘层上方的该阻障层;及将该金属层回火处理。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之导线图案至少可用光罩及微影的方法于将该图案定义于一光阻层上,再用该光阻层定义该图案于该绝缘层上,再以蚀刻的方法除去不必要的部分,最后移除该光阻层。6.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之绝缘层至少包含二氧化矽。7.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之阻障层至少包含氮化钽(TaN)。8.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之金属层至少包含铜(Cu)。9.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之金属层至少可用电镀法形成。10.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之除去多余的该金属层的方法至少包含化学机械研磨法。图式简单说明:第一图显示传统制程先回火再化学机械研磨后所产生碟陷及陷蚀的剖面图;第二图显示于氧化层上以光阻层定义其导线圈案后的剖面图;第三图显示已定义好图案的氧化层之剖面图;第四图显示形成阻障层与铜金属层后之剖面图;第五图显示经化学机械研磨后之结构剖面图。 |
