| 主权项 |
1.一种导线的制造方法,包括下列步骤:在一基底上形成一复晶矽层;在该复晶矽层上形成一底抗反射涂层;在该底抗反射层上形成一光阻层;将该光阻层图案化;以该图案化之光阻层为一罩幕,利用一He/HBr/O2/Cl2流体组合所产生的一气体电浆蚀刻该底抗反射层,以将该底抗反射涂层图案化;以及以该图案化之底抗反射涂层和该图案化之光阻层为罩幕,蚀刻该复晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之导线的制造方法,其中该底抗反射涂层为氮氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之导线的制造方法,其中该流体组合至少包含:一He气体,流速约为50-l50sccm;一HBr气体,流速约为10-40sccm;一Cl2气体,流速约为20-80sccm;以及一O2气体,流速约为20-60sccm。4.如申请专利范围第1项所述之导线的制造方法,其中蚀刻该复晶矽层的方法为电浆蚀刻法。5.一种导线的制造方法,包括:在一基底上形成一导体层;在该导体层上形成一罩幕层;利用一蚀刻罩幕,以及一He/HBr/O2/Cl2流体组合所产生的一气体电浆蚀刻该底抗反射层,以将该底抗反射涂层图案化;以及以该图案化之底抗反射涂层为罩幕,蚀刻该导体层。6.如申请专利范围第5项所述之导线的制造方法,其中该导体层为复晶矽层。7.如申请专利范围第5项所述之导线的制造方法,其中该抗反射涂层为氮氧化矽(SiON)层。8.如申请专利范围第5项所述之导线的制造方法,其中该蚀刻罩幕为图案化之光阻层。9.如申请专利范围第5项所述之导线的制造方法,其中该流体组合至少包含:一He气体,流速约为50-150sccm;一HBr气体,流速约为10-40sccm;一Cl2气体,流速约为20-80sccm;以及一O2气体,流速约为20-60sccm。10.如申请专利范围第5项所述之导线的制造方法,其中蚀刻该导体层的方法为电浆蚀刻法。11.一种流体组合,系用于制作蚀刻一抗反射涂层所需的一气体电浆,该流体组合至少包含:一He气体,流速约为50-150sccm;一HBr气体,流速约为10-40sccm;一Cl2气体,流速约为20-80sccm;以及一O2气体,流速约为20-60 sccm。12.如申请专利范围第11项所述之流体组合,其中该抗反射涂层的材质为氮氧化矽(SiON)。图式简单说明:第一图A至第一图F绘示为根据本发明较佳实施例,一种导线的制造方法流程示意图。 |
