| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige NOR-Halbleiterspeichereinrichtung sowie ein Verfahren zu deren Programmierung, wobei eine Vielzahl von matrixförmig angeordneten Eintransistor-Speicherzellen (SZ) sowohl über Wortleitungen (WL) als auch über Bitleitungen (BL) angesteuert werden. Jede Eintransistor-Speicherzelle (SZ) besitzt hierbei sowohl eine Sourceleitung (S1, S2) als auch eine Drainleitung (D1, D2), wodurch man eine selektive Ansteuerung der jeweiligen Drain-und Sourcegebiete 8D, S) erhält. Auf diese Weise kann ein Leckstrom in der Halbleiterspeichereinrichtung bei minimalem Platzbedarf optimal reduziert werden.</p> |
