| 主权项 |
1.一种包含熔丝的铜内连线结构,该结构形成于一半导体基底上方,包括:一介电层,形成于该半导体基底的上方;一第一铜内连线,形成于该介电层内;一第一铝质垫,镶嵌于该第一铜内连线;一第二铜内连线,形成该第一铜内连线的相对位置之该介电层内;一第二铝质垫,镶嵌于该第二铜内连线;一铜熔丝,设置于该第一铜内连线与该第二铜内连线之间,用来电性连接该第一铜内连线与该第二铜内连线。2.如申请专利范围第1项所述之铜内连线结构,其中更包括一绝缘保护层,用以覆盖该介电层之上表面。3.如申请专利范围第1项所述之铜内连线结构,其中更包括一护环,设置于该铜熔丝的周围。4.如申请专利范围第3项所述之铜内连线结构,其中该铜熔丝系利用一第一铜连接元件与该第一铜内连线电性连接着。5.如申请专利范围第3项所述之铜内连线结构,其中该铜熔丝系利用一第二铜连接元件与该第二铜内连线电性连接着。6.如申请专利范围第1项所述之铜内连线结构,其中该第一或第二铜内连线与该介电层上表面之距离,小于该铜熔丝与该介电层表面之距离。7.如申请专利范围第1项所述之铜内连线结构,其中该介电层系含氟矽玻璃层。图式简单说明:第一图A-第一图B为根据习知技术之一形成包含熔丝之铜内连线结构的制程剖面图。第一图C为利用雷射熔断第一图B所示之熔丝的剖面示意图。第二图为显示第一图B之熔丝与铜内连线之间关系的上视图。第三图A-第三图C为根据本发明较佳实施例之一形成包含熔丝之铜内连线结构的制程剖面图。第三图D为利用雷射熔断第三图C所示之熔丝的剖面示意图。第四图为显示第三图C之熔丝与铜内连线之间关系的上视图。 |
