| 主权项 |
1.一种改善沟渠闸极氧化层于沟渠角落偏薄的方法,该方法至少包含以下步骤:提供一矽基板,并有一沟渠形成于其中;沉积一第一氧化层于该沟渠之底部及侧壁上;施以一回蚀刻技术蚀刻该第一氧化层以使该沟渠底部保留一厚度;以LPCVD法沉积一第二氧化层于该沟渠底部及侧壁上;施以一退火制程以使该第二氧化层均匀覆盖;施以等向性蚀刻以去除大部分之该第二氧化层,但留下该沟渠角落之小部分该第二氧化层于该第一氧化层上,因此,该沟渠之角落将圆滑化;及施以热氧化制程以形成第三氧化层于该沟渠之侧壁上,用以做为闸极氧化层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之沉积之第一氧化层系以高密度电浆化学气相沉积法沉积至厚约360-440nm,并且是在390-410℃形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之回蚀刻步骤系以乾式蚀刻法蚀刻并保留约160-240nm厚的氧化层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二氧化层系以LPCVD法沉积,沉积的厚度约为135-165nm,沉积温度约为700-740℃。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之退火制程温度约为850℃-950℃。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之等向性蚀刻系以0.5%至1%之HF湿式蚀刻以留下角落之该第二氧化层高度约为50-100nm。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之热氧化制程步骤系以840℃-860℃的温度形成,该第三氧化层厚度约为45-55nm厚。8.一种改善沟渠闸极氧化层于沟渠角落偏薄的方法,该方法至少包含以下步骤:提供一矽基板,并有一沟渠形成于其中;施以高密度电浆化学气相沉积法沉积一第一氧化层于该沟渠之底部及侧壁上;施以一回蚀刻技术蚀刻该第一氧化层以使该沟渠底部保留一厚度;以LPCVD法沉积一第二氧化层于该沟渠底部及侧壁上;施以一退火制程以使该第二氧化层均匀覆盖;施以等向性蚀刻以去除该大部分之第二氧化层,但留下该沟渠之角落之小部分第二氧化层于该第一氧化层上,因此该沟渠之角落将圆滑化;及施以热氧化制程以形成第三氧化层于该沟渠之侧壁上以做为闸极氧化层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之沉积之第一氧化层系以高密度电浆化学气相沉积法沉积至厚约360-440nm,并且是在390-410℃形成。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之回蚀刻步骤系以乾式蚀刻法蚀刻并保留约160-240nm厚的氧化层。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第二氧化层系以LPCVD法沉积,沉积的厚度约为135-165nm,沉积温度约为700-740℃。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之退火制程温度约为850℃-950℃。13.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之等向性蚀刻系以0.5%至1%之HF湿式蚀刻以留下角落之该第二氧化层高度约为50-100nm。14.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之热氧化制程步骤系以840℃-860℃的温度形成,该第三氧化层厚度约为45-55nm厚。图式简单说明:第一图显示以传统方法在沟渠形成后,直接施以高温的热氧化制程以形成闸极氧化层后,在沟渠底部角落会有氧化层偏薄的横截面示意图。第二图显示以本发明之方法形成沟渠之氮化矽层硬式罩幕的横截面示意图。第三图显示以本发明之方法施以高密度电浆化学气相沉积法沉积一第一氧化层于沟渠之底部并予回蚀刻后的横截面示意图。第四图显示以本发明之方法施以低压化学气相沉积法后的横截面示意图。第五图显示以本发明之方法施以回蚀刻后的横截面示意图。第六图显示以本发明之方法施以高温的热氧化制程后的横截面示意图。 |
