MFC系高介质压敏电阻/电容复合元件的生产方法

摘要

本发明公开了一种制造MFC系高介质压敏电阻/电容复合元件的生产方法,由配料、球磨、造粒、打片、排胶、烧结、清洗、打弯、检测、中试、电极印刷、焊结、分选、链式烧成、包封、打印标志、包装、水处理等工艺组成。该制造方法可采用国产原料,国产设备、工艺相对简单、生产成本低、成品率达88%。产品性能符合国际标准可替代进口元件。

主权项

1、一种制造MFC系高介质压敏电阻/电容复合元件的生产方法，由配料、球磨、造粒、打片、排胶、烧结、清洗、打弯、检测、中试、电极印刷、焊接、分选、链式烧成、包封、打印标志、包装、水处理等步骤组成，其特征在于该生产方法的配料和烧结的工艺过程如下：(a)配料：以SrTiO3为主材料，La2O3为主施杂质，加入Ni2O5、Mn2O3、SiC、BaTiO3、TiO2、ZnO、In、Ga、Ba等；(b)烧结：从基础温度30℃～550℃要求升温的速度在1.5～1.8℃/分，之后升温的速度可以加快，原则上升温速度最快每分钟不超过5℃，为使SrTiO3形成半导体化，在不同成片电压条件约束下其造成氧空位的温度是不一样的，一般可在1100～1400℃度范围内设定，同时炉内的气氛也是根据产品的电压值、电容值不同其通入量可在3～50升/分速度通入氢气体及1～25升/分速度通入氮气体，其通气的压力一般在0.01MPa～0.05Mpa之间，而产品的保温温度一般在1380℃～1480℃之间，保温时间最短约3小时，最长可达8小时，如果出炉后成片的电压值不够，曲线不够陡峭，可用压缩空气加入1～5％的硝酸锰水溶液进行二次氧化，氧化温度在700℃～1150℃之间，氧化时间一般约10分钟～1小时，可在原电压基础上提高成片电压3V～300V之间。