| 主权项 |
1.一种湿蚀刻一半导体晶圆(10)之边缘(10k)之装置,具有下列特点:1.1一支持体(12),具有一支持面(12f)用以旋转式接纳该半导体晶圆(10),以及1.2一喷嘴(18),设置于半导体晶圆(10)上方,其嘴部(20)之设计及取向,使得由嘴部(20)送出的蚀刻流体喷射(22)系于相对于半导体晶圆(10)平面(E)夹角>0度而<90度之角度撞击半导体晶圆(10)之边缘(10k)待处理的特定面部。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该喷嘴(18)之嘴部(20)系定向成蚀刻流体喷射(22)系于相对于半导体晶圆(10)边缘(10k)之切线方向前进。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该喷嘴(18)之嘴部(20)系定向成蚀刻流体喷射(22)仅撞击半导体晶圆(10)边缘(10k)之面对喷嘴(18)面部(10ko)。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该喷嘴(18)系成形及定置成蚀刻流体喷射(22)具有一撞击半导体晶圆(10)边缘(10k)之流速,该流速系对应于半导体晶圆(10)周边速度之最大値。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该支持体(12)至少有一喷嘴(14,16)导引入支持体表面(12f)内部用以根据布奴立(Bernoulli)原理接纳半导体晶圆(10)。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该嘴部(20)系形成且定向成经由嘴部(20)送出的蚀刻流体喷射(22)系于相对于半导体晶圆(10)平面(E)夹角1至25度之角度撞击半导体晶圆(10)之待处理边缘(10k)。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该喷嘴(18)嘴部(20)具有直径为0.2至1.0毫米。8.如申请专利范围第1项之装置,其中该支持体(12)设置有一槽道,前进至支持体表面(12f)上被设定于低压下来固定半导体晶圆(10)。9.如申请专利范围第1项之装置,其中该支持体(12)具有一支持面(12f)其直径系小于半导体晶圆(10)之外径。图式简单说明:第一图为根据本发明之装置之平面图,第二图为根据本发明之装置之侧视图,第三图为装置于晶圆边缘蚀刻区之放大剖面图。 |
