| 主权项 |
1.一种可电写入和电抹除的非挥发性半导体记忆装置,包含:一基板;一控制闸电极,位在该基板上;以及一源极扩散层,排列在该基板表面上且至少沿着该控制闸电极,该源极扩散层其中至少一部分有倾斜部,该倾斜部相对于该基板的厚度方向之角度不小于离子植入的角度。2.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置,其中该源极扩散层系垂直于渠沟装置隔离层且沿着该渠沟装置隔离层的渠沟表面及该基板表面排列。3.如申请专利范围第2项之非挥发性半导体记忆装置,其中该源极扩散层的该倾斜部沿着该渠沟装置隔离层侧壁排列。4.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置,其中该源极扩散层沿着该控制闸电极连续排列。5.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置,其中该源极扩散层垂直于装置隔离层,且该源极扩散层系形成为实质上平行于该装置隔离层底部的平坦面。6.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置,其中该源极扩散层沿着该控制闸电极连续排列。7.如申请专利范围第6项之非挥发性半导体记忆装置,其中该源极扩散层的该倾斜至少形成于连接到该控制闸电极的电极部分以及该源极扩散层平面部分之间。8.如申请专利范围第7项之非挥发性半导体记忆装置,其中该源极扩散层的该倾斜部沿着该基板的一端排列在连接到该控制闸电极的电极部以及该源极扩散层的水平部分之间,或是沿着组成该源极扩散层的侧壁而由该装置隔离层组成侧壁形成。9.一种可电写入和电抹除的非挥发性半导体记忆装置的制造方法,包含下列步骤:形成一渠沟,该渠沟的侧壁之角度不小于离子植入的角度,而形成在基板表面,沿着该基板表面一预定方向且彼此平行;镀覆氧化层在该渠沟中以形成渠沟装置隔离层;依序镀覆及形成第一闸极绝缘层以及第一导电层在该基板表面上,然后将该第一闸极绝缘层以及该第一导电层开图案,以在未被该渠沟装置隔离层覆盖的该基板表面上的至少一部份形成浮置闸电极;依序镀覆及形成第二闸极绝缘层及第二导电层在该浮置闸电极及该渠沟装置隔离层表面上,而后将该第二闸极绝缘层及第二导电层开图案,以在沿着该渠沟装置隔离层垂直方向以形成控制闸电极,而该渠沟装置隔离层表面和该浮置闸电极表面是交替覆盖的;植入及扩散杂质到该基板沿着每个该控制闸电极至少一侧壁暴露的表面,以形成汲极区;形成侧壁氧化层在电极部侧壁上,该电极部其中该控制闸电极和该浮置闸电极是堆叠的,之后移除非覆盖在该控制闸电极上的该浮置闸电极;将一阻障层覆盖在沿着该控制闸电极一侧壁的该汲极区,之后使用该阻障层及该控制闸电极当作罩幕执行蚀刻,以移除排列在沿着该控制闸电极另一侧壁暴露的基板表面上之该渠沟装置隔离层;在该阻障层还留着的状态下,该渠沟装置隔离层移除后,植入以及扩散杂质进入沿着该控制闸电极另一侧壁暴露的不平坦之该基板表面上形成该源极扩散层,而离子植入的角度小于该渠沟装置隔离层侧壁倾斜的角度;以及在该基板整个表面形成一内层绝缘层,然后在至少一部份的该汲极扩散层上形成接触窗,之后将指定图案的线层连接到该接触窗。10.如申请专利范围第9项之非挥发性半导体记忆装置的制造方法,其中移除排列在该基板表面上的该渠沟装置隔离层之蚀刻是非等向性蚀刻。11.一种可电写入和电抹除的非挥发性半导体记忆装置的制造方法,包含下列步骤:形成一装置隔离层,由氧化层组成且位在基板上,沿着一预定方向且互相平行;依序镀覆及形成第一闸极绝缘层以及第一导电层在该基板表面上,然后将该第一闸极绝缘层以及该第一导电层开图案,以在未被该渠沟装置隔离层覆盖的该基板表面上的至少一部份形成浮置闸电极;依序镀覆及形成第二闸极绝缘层及第二导电层在该浮置闸电极及该渠沟装置隔离层表面上,而后将该第二闸极绝缘层及该第二导电层开图案,以在沿着该渠沟装置隔离层垂直方向形成一区域,该区域将在该基板表面形成汲极扩散区;植入且扩散杂质进入该将形成汲极扩散区的区域,以形成该汲极扩散区,且形成氧化层在该浮置闸电极侧壁及该第二导电层至少是侧壁上;将一阻障层覆盖在该区域附近的该汲极扩散层及该第二导电层表面,蚀刻形成源极扩散层的区域里该第二导电层表面上的该阻障层,然后同时移除在该将形成源极扩散层区域上的该第二导电层、该第二闸极绝缘层、该浮置闸、该第一闸极绝缘层以及其他类似的,由此,由垂直于该装置隔离层之该第二闸极绝缘层形成控制闸;蚀刻该将形成源极扩散层区域使得该装置隔离层消失,然后同时移除该装置隔离层以及该基板而形成有平面底部的渠沟,由此由第二导电层形成控制闸,之后进一步使在该将形成源极扩散层区域的侧壁倾斜角度不小于离子植入的角度;植入且扩散杂质到该将形成源极扩散层区域以形成源极扩散层;以及剥离该阻障层,在该基板整个表面形成一内层绝缘层,然后在至少一部份的该汲极扩散层上形成接触窗,之后将指定图案的线层连接到该接触窗。12.如申请专利范围第11项之非挥发性半导体记忆装置的制造方法,其中在该蚀刻一群电极包含该第二导电层和该浮层闸以形成该将形成源极扩散层区域的蚀刻步骤是非等向性蚀刻。13.如申请专利范围第11项之非挥发性半导体记忆装置的制造方法,其中在形成该将形成源极扩散层区域的步骤中,蚀刻该基板和该装置隔离层的蚀刻媒介对该基板和该装置隔离层都有相同的蚀刻率。14.如申请专利范围第11项之非挥发性半导体记忆装置的制造方法,其中在形成该将形成源极扩散区域的步骤中,蚀刻该基板和该装置隔离层的蚀刻方式是等向性离子蚀刻。图式简单说明:第一图是本发明一个实施例之非挥发性半导体记忆装置的平面图;第二图A到第二图C是本发明第一实施例之非挥发性半导体记忆装置的剖面图,此剖面图分别是第一图中A-A线、B-B线、以及C-C线。第三图A到第三图D是本发明第一实施例之非挥发性半导体记忆装置制造方法的剖面图,此剖面图分别是第一图中A-A线、B-B线、C-C线、以及D-D线。第四图A到第四图D是第三图A到第三图D接下来的步骤;第五图A到第五图D是第四图A到第四图D接下来的步骤;第六图A到第六图D是第五图A到第五图D接下来的步骤;第七图A到第七图D是第六图A到第六图D接下来的步骤;第八图A到第八图D是第七图A到第七图D接下来的步骤;第九图A到第九图D是第八图A到第八图D接下来的步骤;第十图A到第十图C是本发明第二实施例之非挥发性半导体记忆装置的剖面图,此剖面图分别是第一图中A-A线、B-B线、以及C-C线。第十一图A到第十一图D是本发明第二实施例之非挥发性半导体记忆装置制造方法的剖面图,此剖面图分别是第一图中A-A线、B-B线、C-C线、以及D-D线。第十二图A到第十二图D是第十一图A到第十一图D接下来的步骤;第十三图A到第十三图D是第十二图A到第十二图D接下来的步骤;第十四图A到第十四图D是第十三图A到第十三图D接下来的步骤;第十五图A到第十五图D是第十四图A到第十四图D接下来的步骤;第十六图A到第十六图D是第十五图A到第十五图D接下来的步骤;第十七图A到第十七图D是第十六图A到第十六图D接下来的步骤;第十八图A到第十八图C是一个习用非挥发性半导体记忆装置剖面图。 |
