| 主权项 |
1.一种即时检测研磨速率之方法,包括 : 提供一材料层,并以一研磨制程研磨该材料层; 以一入射激光射向该材料层而取得一反射激光并 记录此起始量测时间,持续量测一段时间;以及 将该段时间中之该反射激光的强度对该量测时间 之积分曲线,除以该反射激光的强度对该量测时间 之微分曲线与该量测时间的乘积,得到一I-DT转换 曲线,计算出一研磨速率。2.如申请专利范围第1项 所述之即时检测研磨速率之方法,其中,该I-DT转换 曲线的方程式为: 其中, ,并且I为 该反射激光强度,t为该量测时间,IA为该入射激光 之一次反射激光的强度,IB为该入射激光之二次反 射激光的强度,n为该材料层的折射率,r为该卅磨速 率,0为该入射激光的波长,ref 为该入射激光之 折射角。3.如申请专利范围第1项所述之即时检 测研磨速率之方法,该研磨速 ,其中T为一曲线周期。4.如申请专利范围第1项所 述之即时检测研磨速率之方法,其中,该研磨制程 包括化学机械研磨法。5.如申请专利范围第1项所 述之即时检测研磨速率之方法,其中,该材料层包 括一介电层。6.如申请专利范围第1项所述之即时 检测研磨速率之方法,其中,该材料层包括一氧化 层。7.如申请专利范围第1项所述之即时检测研磨 速率之方法,其中,该材料层包括一氮化矽层。8.如 申请专利范围第1项所述之即时检测研磨速率之方 法该材料层包括一已图案化之材料层。9.如申请 专利范围第1项所述之即时检测研磨速率之方法, 其中,该材料层包括一已图案化之介电层。10.如申 请专利范围第1项所述之即时检测研磨速率之方法 ,其中,该材料层包括一已图案化之氧化层。11.如 申请专利范围第1项所述之即时检测研磨速率之方 法,其中,该材料层包括一已图案化之氮化矽层。 图式简单说明: 第一图显示材料层之CMP光学终点检测之原理示意 图; 第二图显示未图案化氧化层之反射激光的强度对 时间曲线图形及本发明I-DT转换之曲线图; 第三图显示未图案化氧化层在不同研磨压力下,由 本发明与实际测量之研磨速率变化比较; 第四图显示已图案化之材料层之反射激光的强度 对时间曲线图形及本发明I-DT转换之曲线图;以及 第五图显示已图案化之材料层由本发明与实际测 量结果对不同压力之研磨速率变化。 |
