| 主权项 |
1.一种降低接触窗或介层洞阻値的方法,该方法至 少包含: 提供一底材,该底材至少具有一介电层,其中该介 电层至少包含一开口以露出下层之导体层; 在该底材上沉积一含丰富钛之氮化物薄膜;及 在该含丰富钛之氮化物薄膜上沉积一氮化钛薄膜 。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之沉积 一含丰富钛之氮化物薄膜的步骤系用物理气相沉 积法。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之 物理气相沉积法的先趋物为氮气。4.如申请专利 范围第2项之方法,其中上述之氮气的流速在反应 室的容积为 0.0046到0.005立方公尺内在沉积该含丰富钛之氮化 物薄膜时为0到1000 SCCM。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之 沉积一含丰富钛之氮化物薄膜的步骤系用化学气 相沉积法。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上 述之化学气相沉积法的先趋物为TiC14/NH3,TDEAT/NH3, 或TDMAT/NH3。7.如申请专利范围第5项之方法,其中上 述之NH3的流速在反应室的容积为 0.0046到0.005立方公尺内在沉积该含丰富钛之氮化 物薄膜时为50到500 SCCM。8.一种降低接触窗或介层洞阻値的方法,该方 法至少包含: 提供一底材,该底材具有一导体层,该导体层上形 成一绝缘层,并且在该绝缘层内形成一接触窗; 沉积一金属层以填满该接触窗; 以化学机械研磨法移除多余的该金属层; 沉积一含丰富钛之氮化物薄膜;及 在该含丰富钛之氮化物薄膜上沉积一氮化钛薄膜 。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之沉积 一含丰富钛之氮化物薄膜的步骤系用物理气相沉 积法。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述 之物理气相沉积法的先趋物为氮气。11.如申请专 利范围第9项之方法,其中上述之氮气的流速在反 应室的容积为0.0046到0.005立方公尺内在沉积该含 丰富钛之氮化物薄膜时为0到1000 SCCM。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之 沉积一含丰富钛之氮化物薄膜的步骤系用化学气 相沉积法。13.如申请专利范围第12项之方法,其中 上述之化学气相沉积法的先趋物为TiC14/NH3,TDEAT/NH3 ,或TDMAT/NH3。14.如申请专利范围第12项之方法,其中 上述之NH3的流速在反应室的容积为0.0046到0.005立 方公尺内在沉积该含丰富钛之氮化物薄膜时为50 到500 SCCM。15.一种对于多层半导体电路中减少内连接电 阻的方法,该方法至少包含: 提供一底材,该底材具有一第一导体层,该第一导 体层上形成一绝缘层,并且在该绝缘层内形成一接 触窗; 沉积一金属层以填满该接触窗; 以化学机械研磨法移除多余的该金属层; 沉积一第一含丰富钛之氮化物薄膜; 在该第一含丰富钛之氮化物薄膜上沉积一第一氮 化钛薄膜; 在该第一氮化钛薄膜上形成一第二导体层; 在该第二导体层上沉积一第二含丰富钛之氮化物 薄膜;及 在该第二含丰富钛之氮化物薄膜上沉积一第二氮 化钛薄膜。16.如申请专利范围第15项之方法,其中 上述之沉积一含丰富钛之氮化物薄膜的步骤系用 物理气相沉积法。17.如申请专利范围第16项之方 法,其中上述之物理气相沉积法的先趋物为氮气。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中上述之氮气 的流速在反应室的容积为0.0046到0.005立方公尺内 在沉积该含丰富钛之氮化物薄膜时为到0到1000 SCCM。19.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之 沉积一含丰富钛之氮化物薄膜的步骤系用化学气 相沉积法。20.如申请专利范围第19项之方法,其中 上述之化学气相沉积法的先趋物为TiCl4/NH3,TDEAT/NH3 或TDMAT/NH3。21.如申请专利范围第19项之方法,其中 上述之NH3的流速在反应室的容积为0.0046到0.005立 方公尺内在沉积该含丰富钛之氮化物薄膜时为50 到500 SCCM。图式简单说明: 第一图为使用传统的技术,在接处窗中的氮化钛薄 膜之结构图; 第二图是根据本发明所揭露的方法形成的含丰富 钛之氮化物薄膜的流程图; 第三图A到第三图E是根据本发明所揭露的方法形 成的含丰富钛之氮化物薄膜在不同的阶段的结构 图示。 |
