| 主权项 |
1.一种雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,提供一基体,该基体是一记忆体位元,包括有场氧化层、金氧半场效电晶体与熔丝,在该熔丝的上方覆盖二氧化矽层,两侧具有侧壁结构作为绝缘之用,保护环的制造方法系包括下列步骤:a.在表面覆盖一层复晶矽层;b.沉积中间介电层,覆盖在该复晶矽层的表面;c.在该场氧化层的上方,对该中间介电层与该复晶矽层开接触窗,露出一部份的该场氧化层;d.在该中间介电层的接触窗形成第一金属栓塞;e.在该中间介电层的表面形成第一金属层;f.沉积中间金属介电层,覆盖在该中间介电层与该第一金属层的表面;g.在该第一金属层的上方,对该中间金属介电层形成接触窗,露出该第一金属层;h.在该中间金属介电层之中,形成第二金属栓塞,并连接该第一金属层;i.在于该中间金属介电层的表面形成第二金属层,连接该第二金属栓塞,形成一个良好的保护环结构。2.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,于步骤a中所述复晶矽层的形成方法是低压化学气相沉积法。3.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,所述复晶矽层的厚度系在1000到2500埃之间。4.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,于步骤b中所述中间介电层的沉积,是先沉积一层电浆辅助四乙氧基矽酸盐,再沉积一层硼磷搀杂四乙氧基矽酸盐。5.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,于步骤d中所述第一金属栓塞的沉积,先沉积一钛金属层,再沉积一氮化钛层,最后沉积一层钨金属。6.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,所述第一金属栓塞的厚度系在5000到6000埃之间。7.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,所述第一金属层的组成材料是选自铝金属、铝合金、钨金属、钨合金或钛合金所组成群组的其中之一。8.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,所述第一金属层的厚度系在4000到5000埃之间。9.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,该第二金属栓塞的组成材料为钨金属。10.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,所述第二金属栓塞的厚度系在5000到6000埃之间。11.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,所述第二金属层的组成材料是选自铝金属、铝合金、钨金属、钨合金或钛合金所组成群组的其中之一。12.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,所述第二金属层的厚度系在6000到8000埃之间。13.如申请专利范围第1项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,完成保护环结构的制作之后,在保护环的表面覆盖一保护层,作为保护积体电路的结构之用。14.如申请专利范围第13项所述雷射修护窗之保护环的制造方法追加一,该保护层的组成材料是先沉积一层二氧化矽层,再沉积一层氮化矽层。15.一种雷射修护窗之保护环的结构追加一,提供一基体,该基体是一记忆体位元,包括有场氧化层、金氧半场效电晶体与熔丝,在该熔丝的上方覆盖二氧化矽层,两侧具有侧壁结构作为绝缘之用,该保护环的结构系为:一复晶矽层,覆盖在该金氧半场效电晶体与该熔丝区域的表面;一中间介电层,覆盖在该复晶矽层的表面,并开启接触窗,露出该场氧化层的部份;一第一金属栓塞,位于该中间介电层的接触窗中,接触该场氧化层;一第一金属层,覆盖在该中间介电层的接触窗窗口,宽度略大于接触窗窗口,并连接该第一金属栓塞的顶面;一中间金属介电层,覆盖在该中间介电层与该第一金属层的表面,并具有接触窗,位于该第一金属层的上方,露出该第一金属层的顶面;一第二金属栓塞,位于该中间金属介电层的接触窗之中,并接触该第一金属层的顶面,构成雷射修护窗的保护环结构;一第二金属层,覆盖在该中间金属介电层的接触窗窗口,宽度略大于接触窗窗口,并连接该第二金属栓塞的顶面。16.如申请专利范围第15项所述雷射修护窗之保护环的结构追加一,该复晶矽层的厚度系在1000到2500埃之间。17.如申请专利范围第15项所述雷射修护窗之保护环的结构追加一,该第一金属栓塞的组成材料为先沉积一层钛金属层,再沉积一层氮化钛层,最后再沉积一层钨金属。18.如申请专利范围第15项所述雷射修护窗之保护环的结构追加一,该第一金属栓塞的厚度系在5000到6000埃之间。19.如申请专利范围第15项所述雷射修护窗之保护环的结构追加一,该第一金属层的厚度系在4000到5000埃之间。20.如申请专利范围第15项所述雷射修护窗之保护环的结构追以一,该第二金属栓塞的组成材料为钨金属。21.如申请专利范围第15项所述雷射修护窗之保护环的结构追加一,该第二金属栓塞的厚度系在5000到6000埃之间。22.如申请专利范围第15项所述雷射修护窗之保护环的结构追加一,该第二金属层厚度系在6000到8000埃之间。23.如申请专利范围第15项所述雷射修护窗之保护环的结构追加一,在保护环结构的表面,形成保护层结构保护积体电路不受水气侵袭。图式简单说明:第一图系显示出系本追加创作之积体电路之雷射修护窗的顶视图,斜线部份是表示雷射修护窗的保护环结构,在图中分别有AA'与BB'的直线,在第二图与第三图中分别以这两直线作剖面图。第二图系显示出第一图以BB'直线的剖面图,显示出本追加创作之雷射修护窗的熔丝与保护环结构。第三图系显示出第一图以AA'直线的剖面图,显示出本追加创作之雷射修护窗的熔丝与保护环结构。 |
