| 主权项 |
1.一种调整用电阻,其系具有互为并联连接的复数个电阻,其中前述复数个电阻之各个可利用光之照射而切断,而藉由切断前述复数个电阻中之一部份的电阻,即可调整前述调整用电阻之电阻値。2.如申请专利范围第1项之调整用电阻,其中前述复数个电阻之电阻値系互为不同者。3.如申请专利范围第2项之调整用电阻,其中前述复数个电阻之长度系互为不同者。4.如申请专利范围第1项之调整用电阻,其具有与前述复数个电阻并联连接,且不因光之照射而被切断的固定电阻。5.一种半导体装置,其包含有:形成有半导体电路之半导体基板;以及调整用电阻,形成于前述半导体基板上,用以调整施加在前述半导体电路上之电压或电流者,而前述调整用电阻,具有互为并联连接的复数个电阻,前述复数个电阻之各个可利用光之照射而切断,藉由切断前述复数个电阻中之一部份的电阻,即可调整前述调整用电阻之电阻値。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中前述复数个电阻之电阻値系互为不同者。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中前述复数个电阻之长度系互为不同者。8.如申请专利范围第5项之半导体装置,其具有与前述复数个电阻并联连接,且不因光之照射而被切断的固定电阻。9.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中前述半导体电路系为场效型电晶体,同时前述调整用电路系连接在前述场效型电晶体之闸极端子上,藉由调整前述调整用电阻之电阻値,即可调整施加在前述场效型电晶体之闸极端子上的偏压。10.一种半导体装置之制造方法,其包含有:在半导体基板上形成半导体电路,及互为并联连接,且具有分别依光之照射而切断之复数个电阻用以调整施加在前述半导体电路上之电压或电流的调整用电阻的步骤;以及藉由光切断前述复数个电阻中之一部份电阻,用以调整前述调整用电阻之电阻値的步骤。11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中前述调整用电阻,具有与前述复数个电阻并联连接,且不会依光之照射而被切断的固定电阻。12.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中用以切断前述复数个电阻中之一部份电阻的光,系为脉冲驱动之YAG雷射光。13.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中用以切断前述复数个电阻中之一部份电阻的步骤包含有,在与前述复数个电阻相对应之部位上分别具有开口部之光罩的前述开口部中,一方面开放与切断对象之电阻相对应之开口部,而另一方面遮蔽与不成为切断对象之电阻相对应之开口部的状态下,介以前述光罩对前述调整用电阻照射光的步骤。14.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中用以切断前述复数个电阻中之一部份电阻的步骤包含有,用以测定前述半导体电路之动作特性,以减低已被测定之动作特性与预设于前述半导体电路内之动作特性之差的方式,切断前述复数个电阻中之一部份电阻的步骤。15.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中前述半导体电路系为场效型电晶体,同时前述调整用电阻系连接在前述场效型电晶体上闸极端子上,而用以调整前述调整用电阻之电阻値的步骤,包含有用以调整施加在前述场效型电晶体之闸极端子上的偏压。图式简单说明:第一图(a)显示有关第一实施形态之半导体装置的整体构成图。第一图(b)显示有关第一实施形态之半导体装置之调整用电阻的图。第二图显示有关第一实施形态之半导体装置之调整用电阻中对第一至第四薄膜电阻之切断组合与电阻値的关系图。第三图(a)显示有关第二实施形态之半导体装置的整体构成图。第三图(b)显示有关第二实施形态之半导体装置之调整用电阻的图。第四图显示有关第二实施形态之半导体装置之调整用电阻中对第一至第四薄膜电阻之切断组合与电阻値的关系图。第五图为说明构成有关第一或第二实施形态之半导体装置之调整用电阻的各薄膜电阻之电阻値的不均等带给电阻値调整电路之电阻値影响的电路图。第六图显示使用于有关第三实施形态之半导体装置之制造方法中,用以切断调整用电阻之各薄膜电阻之光学装置之整体构成的斜视图。第七图显示使用于有关第三实施形态之半导体装置之制造方法中,用以切断调整用电阻之各薄膜电阻以调整调整用电阻之电阻値之电阻値调整装置的整体构成图。第八图显示使用于有关第三实施形态之半导体装置之制造方法之各步骤流程的流程图。第九图显示组入于有关第一至第三实施形态之半导体装置内之半导体电路之另一例的电路图。第十图(a)显示具有习知之调整用电阻之半导体装置的整体构成图。第十图(b)显示调整习知之调整用电阻之电阻値之方法的图。 |
