| 主权项 |
1.一种内容可定址之先进/先出(FIFO)资料储存记忆体,包含:具有衆多级各用以储存一输入至该级之资料字的记忆体装置;衆多输入埠装置,此等输入埠装置之每一第一输入埠装置各用以接收来自该级之一之衆多资料字输出之一循序之下一个;选择装置,各介于该记忆体装置的连续级对之间,以响应一命令资料字内容,用以将接收下以组(set)一选定者之资料字提供予级对之一下一个(a)级对中前一级之一输出,以及(b)该第一输入埠装置以外衆多输入埠装置之一剩余;以及输出埠装置,用以将资料字送出至该记忆体,然后储存于一最后记忆体装置级。2.如申请专利范围第1项之记忆体,进一步包含至少一额外输出埠装置,各用以从该记忆体传送一来自该最后级以外级中一选定者之资料字。3.如申请专利范围第2项之记忆体,其中该选择装置各作业以将衆多输入中各选定者,其中之一接收储存于相关级对之第一个的资料字,连接至一相关之衆多输出的选定者,其中之一将资料字提供予级对之剩余者。4.如申请专利范围第3项之记忆体,其中各输入/输出对之连接,包含一选定之输入对应于一选定之输出,系响应该命令资料字之内容而控制。5.如申请专利范围第4项之记忆体,其中该命令资料字系从该记忆体外部一来源提供。6.如申请专利范围第1项之记忆体,其中该选择装置各作业以将一衆多输入之选定者,其中之一接收储存于相关级对之第一个的资料字,连接至一将资料字提供予级对之剩余者的输出。7.如申请专利范围第6项之记忆体,其中连接一选定之输入与该输出系响应该命令资料字之内容而控制。8.如申请专利范围第7项之记忆体,其中该命令资料字系从该记体外部一来源提供。9.如申请专利范围第1项之记忆体,其中任何记忆体级之内容可有效设定为空白値,以响应该命令资料字。10.一种内容可定址之先进先出记忆体(CAMFIFO),用以供一写入-修改-读取缓冲区给从一来源处理传送至一接收处理之资料,包含:先进先出(FIFO)记忆体装置,用以于一第一贮列中一相关位置储存各个不同之第一衆多的第一类资料字;内容可定址记忆体(CAM)装置,用以于一第二贮列中一相关位置储存各个不同之第二衆多的第二类资料字;写入位置计数装置,用以于各贮列中提供第一及第二位置之一序列之一位址,其中于该位址储存一接收自来源处理之一下一个接收的第一类及第二类资料字对;用以提供一位址之读取位址计数装置,其中第一类资料字之下一个从该位址输出至该接收处理;以及逻辑装置,用以决定于先进先出(FIFO)位置的内容输出至该接收处理前,是否储存于任何先进先出(FIFO)位置中的第一类资料字应以最少部分之选定的第二类资料字取代。11.如申请专利范围第10项之记忆体,其中该逻辑装置包括用以接收一外部命令,以选择及取代一第一类资料字之装置。12.如申请专利范围第11项之记忆体,其中所有先进先出(FIFO)位置系由该逻辑装置检查,且第一类资料字仅于一第一考虑之先进先出(FIFO)位置中取代。13.如申请专利范围第11项之记忆体,其中该装置包括用以于一特定位置储存一要求该接收处理忽略一相关之第一类资料字的外部命令之装置。14.如申请专利范围第13项之记忆体,其中清除该忽略之先进先出(FIFO)位置以响应外部命令。15.如申请专利范围第13项之记忆体,其中不清除该忽略之先进先出(FIFO)位置以响应外部命令。16.一种用以于写入-修改-读取缓冲储存从一来源处理传送至一接收处理之资料的方法,包含下列步骤:(a)于一第一贮列中相关先进先出(FIFO)位置储存各个不同之第一衆多的第一类资料字;(b)于一第二贮列中相关位置储存各个不同之第二衆多的第二类资料字;(c)于各贮列中提供第一及第二位置之一序列之一位址,于该位址储存接收自来源处理之一下个接收之第一类及第二类资料字对;(d)提供一位址,其中第一类资料字之下一个从该位址输出至该接收处理;以及(e)决定于第一贮列位置的内容输出至该接收处理前,是否储存于任何第一贮列位置之第一类资料字应以最少部分之一选定的第二类资料字取代。17.如申请专利范围第16项之方法,其中步骤(e)包括接收一外部命令以选择及取代一第一类资料字之步骤。18.如申请专利范围第16项之方法,其中步骤(e)包括于一特定位置储存一要求该接收处理忽略一相关之第一类资料字的外部命令之步骤。19.如申请专利范围第18项之方法,进一步包含清除忽略之各先进先出(FIFO)位置的内容,以响应外部命令之步骤。20.如申请专利范围第18项之方法,进一步包括维持忽略之各先进先出(FIFO)位置的内容,以响应外部命令之步骤。图式简单说明:第一图系一先前技艺之先进/先出(FIFO)记忆体的概要区块图,并且对于了解本发明之起源很有用;第一图A及第一图B系引导至本发明之其他先前技艺的先进/先出(FIFO)记忆体之概要区块图;第二图A系一模拟之图例说明,描述本发明希望之作业,其有效形成一明显之作业特征。第二图B系由本发明可得知之作业其基本先进先出贮列型态之内容可定址记忆体(CAMFIFO)形式的概要区块图;以及第三图包括第三图A至第三图C,系一根据本发明目前较佳之先进先出贮列型态的内容可定址记忆体(CAMFIFO)之概要区块图。 |
