| 主权项 |
1.一种铜内连线的制造方法,适用于形成有双镶嵌结构的半导体基底,上述方法包括下列步骤:(a)在上述双镶嵌结构的侧壁与底面依序形成一阻障层与一铜种晶层;以及(b)在明亮剂与平坦化剂的存在下,利用电化学沈积法(ECD),于上述双镶嵌结构内形成碳含量介于0.5-2atom%的铜金属,以当作一铜内连线。2.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述阻障层的材料系选自钛、氮化钛、钽、氮化钽构成的族群。3.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述铜种晶层系利用物理气相沈积法形成。4.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述平坦化剂包括化学式为N-R-S之化合物构成之族群,其中R表示被取代或未被取代的烷基或芳香基,且上述平坦化剂在电镀液中的浓度介于400-1000ppm之间。5.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述明亮剂包括化学式为S-R-SO3之化合物,其中R表示被取代或未被取代的烷基或芳香基,且上述明亮剂在电镀液中的浓度介于400-1000ppm之间。6.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中进行上述电化学沈积法时之电流密度介于0.5-2安培之间。图式简单说明:第一图A-第一图B系根据本发明实施例形成铜内连线的制程剖面示意图。 |
