| 摘要 |
<p>본발명은 대용량 커패시터의 개선된 제조방법에 관한 것으로, 본발명에 따른 대용량 커패시터의 제조방법을 적용함으로써 커패시터의 용량이 증가하고, 커패시터 제조후 반도체 소자의 불량률이 저하되는 효과가 있다. 본발명에 따른 커패시터 제조방법은 반도체 기판(1) 상면에, 비소이온으로 도핑된 제1폴리실리콘층 패턴(51a)을 형성하는 공정과; 상기 제1폴리실리콘층 패턴(51a)상에 텅스텐 실리사이드막 패턴(52a)을 형성하는 공정과; 상기 반도체 기판(1)을 열처리하는 공정과; 상기 텅스텐실리사이드막 패턴(52a)위에 제1절연막(53)과 제2절연막(54)을 순차형성하는 공정과; 상기 텅스텐 실리사이드막 패턴(52a)의 일부가 노출되도록 컨택홀(56)을 형성하고, 상기 반도체 기판(1)을 불화수소용액과 버퍼된 불화수소용액내에 순차 침적하여, 텅스텐실리사이드막 패턴(52)상의 상기 제1절연막(53)을 제거하는 공정과; 상기 제2절연막 패턴(54a)의 상면 일부, 상기 콘택홀(56)의 내벽과 상기 텅스텐실리사이드막 패턴(52a)의 상면에 커패시터의 하부전극(60)을 형성하는 공정과; 상기 하부전극(60)의 외표면 전체에 유전체층(61)과 커패시터의 상부전극(62)을 형성하는 공정을 포함하는 대용량 커패시터의 제조방법을 제공한다.</p> |
