| 摘要 |
<p>반도체 소자 분리를 위한 얕은 트렌치를 제조하는 방법에 관한 것으로, 반도체 소자 분리를 위한 얕은 트렌치 제조 공정에서 감광막 패턴을 마스크로 하여 질화막을 식각할 경우, 감광막 패턴을 마스크로 드러난 질화막을 일정 두께로 1차 식각함과 동시에 식각된 질화막의 양 측벽에 중합체를 형성시킨 다음, 남은 질화막을 일정 두께로 등방성 식각하는 공정을 반복하여 질화막의 식각된 형태가 상부폭보다 하부폭이 넓은 계단식의 병목 구조로 되도록 하여 트렌치에 매입되는 절연막의 상부 폭을 트렌치의 상부 폭보다 크게 형성함으로써, 포토리소그래피 공정에서의 마스크 정렬 오차 및 후속 세척 공정 등에 의한 절연막의 식각에 대한 여유를 주어 반도체 소자 형성시 트렌치 측벽 상부 모서리의 실리콘웨이퍼가 드러나는 것을 방지할 수 있어 반도체 소자 제조 공정의 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 반도체 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.</p> |
