| 主权项 |
1.一种位元线的制造方法,包括:提供一基底;在该基底上形成两个相互间隔的闸极长条结构,其中每个闸极长条结构各包括一闸极长条和一介电长条覆盖该闸极长条;在该些闸极长条结构之间的该基底中形成一共用源极/汲极区;在每个闸极长条结构侧壁上形成一间隙壁;以及在该基底上形成相互间隔之复数个导体长条,其中该些导体长条实质上垂直并部份覆盖该些闸极长条结构与该些间隙壁,且其中未部份覆盖该些闸极长条结构与该些间隙壁的该些导体长条皆直接接触该基底。2.如申请专利范围第1项所述之位元线的制造方法,其中该些导体长条的形成方法包括:在该基底上形成一第一介电层覆盖该些闸极长条结构和该些间隙壁;蚀刻该第一介电层,以形成一开口暴露出该共用源极/汲极区,其中该开口由上观之系为复数个暴露出部份该基底,且相互间隔,而实质上垂直于该些闸极长条结构的复数个长条沟渠;形成一导体材料层填满该些长条沟渠,并覆盖该第一介电层;以及去除该第一介电层上的导体材料层。3.如申请专利范围第2项所述之位元线的制造方法,其中形成该导体材料层的方法包括:在基底上形成一共形的第一导体层;以及在该第一导体层上形成一第二导体层填满该些长条沟渠,并覆盖该第一介电层。4.如申请专利范围第3项所述之位元线的制造方法,其中该第一导体层的材质为复晶矽。5.如申请专利范围第3项所述之位元线的制造方法,其中该第二导体层的材质为矽化钨。6.如申请专利范围第2项所述之位元线的制造方法,其中该第一介电层上的该导体材料层系以化学机械研磨法加以去除。7.如申请专利范围第2项所述之位元线的制造方法,其中该第一介电层上的该导体材料层系以回蚀刻的方式加以去除。8.如申请专利范围第1项所述之位元线的制造方法,其中在形成第一介电层之前,更包括在基底上形成一共形的氮化矽层。9.如申请专利范围第8项所述之位元线的制造方法,其中在蚀刻第一介电层之后,更包括蚀刻该氮化矽层,以暴露出该共用源极/汲极区。图式简单说明:第一图A至第一图G是依照本发明较佳实施例,一种位元线之制造流程的剖面示意图;第二图A至第二图E分别是第一图A至第一图E的上视图;第三图是第二图E中III-III截面之剖面示意图;以及第三图至第五图是依照本发明较佳实施例,一种位元线之制造流程的后段部份剖面示意图,其中第三图至第五图可分别对应第一图E至第一图G。 |
