| 主权项 |
1.一种用以处理于一室内之半导体基材之方法,至少包含步骤:(a)建立预处理条件于该室中;(b)执行一两步骤电浆激励;(c)处理该基材;(d)执行一两步骤电浆功率下降;及(e)执行一两步骤基材释放。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之步骤(a)更包含步骤:(i)夹持该基;(ii)流入一背面气体至基材,以建立一背面气体压力;及(iii)稳定室中之气氛。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之步骤(i)更包含施加一250伏之夹持电压至室内之基材支撑件上。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之步骤(ii)更包含以4sccm之流速流动背面气体持续10秒。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之步骤(iii)更包含:引入100sccm流速之第一处理气体流;引入5sccm流速之第二处理气体流;降低背面气体流至1sccm持续5秒。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之步骤(b)更包含施加一射频偏压电源及一射频线圈电源至该室中。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之射频偏压电源系200瓦及于13.56MHz之频率,及射频线圈系300瓦于400KHz之频率。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之射频线圈电源系于射频偏压电源被施加0.5秒后被施加。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之步骤(c)更包含增加射频偏压电源至300瓦及降低第一处理气体流至0sccm持续60秒。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之步骤(d)更包含增加射频线圈电源至500瓦,及降低背面气体流至0sccm持续约2秒。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之步骤(d)更包含降低射频偏压电源至150瓦持续2秒。12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之步骤(e)更包含降低射频偏压电源至1秒,持续6秒。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之步骤(e)更包含降低夹持电压至1伏持续5秒。14.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含步骤:(f)洗净该室;及(g)抽出室内气体。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之步骤(f)更包含流入一洗净气体至室中,以25sccm之流速持续5秒。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之洗净气体为氩。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之室被抽气持续5秒。18.一种用以处理于室内之半导体基材之方法,至少包含步骤:(a)夹持该基材;(b)以4sccm之流速之背面气体流至基材,持续10秒;(c)引入于100sccm之第一处理气体流至该室中;(d)引入于5sccm之第二处理气体流至该室中;(e)降低背面气体流至1sccm,持续5秒;(f)施加一200瓦及频率13.56MHz之射频偏压电源至该室中,并于施加射频偏压电源0.5秒后,施加一射频线圈电源,该射频线圈电源系300瓦及频率为400KHz;(g)增加射频偏压电源至300瓦,并降低第一处理气体流至0sccm;(h)处理该基材;(i)增加射频线圈电源至500瓦,及降低背面处理气体流至0sccm,持续2秒;(j)降低射频偏压电源至150瓦,持续2秒;(k)降低射频偏压电源至1瓦,持续6秒;(l)降低夹持电压至1伏,持续5秒;(m)以25sccm之流速流入一洗净气体至该室中,持续5秒;及(n)由该室抽气,持续5秒。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述之步骤(c)被进行5秒。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述之步骤(h)被进行60秒。图式简单说明:第一图描述一处理室,本发明之方法可以执行于其中。第二图为本发明之方法之流程图。 |
