| 主权项 |
1.一种氯之制造方法,其特征为,于反应温度为100℃至500℃间,利用氧以氧化氯化氢制造氯时,系使用将钌载持于载体而制成的载持金属钌之触媒,且其反应活性高于同反应温度下使用氯化钌之触媒。2.一种氯之制造方法,其特征为,于反应温度为100℃至500℃间,利用氧以氧化氯化氢以制造氯时,系使用氧化钌触媒,且其反应活性高于同反应温度下使用氯化钌之触媒。3.一种氯之制造方法,其特征为,于反应温度为100℃-500℃间,利用氧以氧化氯化氢以制造氯时,系使用由钌复合氧化物之调制法所制得的触媒,且其反应活性高于同反应温度下使用氯化钌之触媒。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,载体系至少一种选自氧化钛、氧化铝、氧化锆、沸石、二氧化矽、钛复合化合物、锆复合氧化物、铝复合氧化物中的载体。5.如申请专利范围第1项之方法,其中,载体系为至少一种选自氧化钛、氧化锆、氧化铝中的载体。6.如申请专利范围第1项之方法,其中,对载体而言,钌的载持比率为0.1-20重量%。7.如申请专利范围第1项之方法,其中,对载体而言,钌的载持比率为1-5重量%。8.如申请专利范围第2项之方法,其中,氧化钌触媒为氧化钌、氢氧化钌。9.如申请专利范围第2项之方法,其中,氧化钌触媒为载持氧化钌之触媒。10.如申请专利范围第9项之方法,其中,该载体为氧化钛、氧化铝、氧化锆、二氧化矽、钛复合氧化物、锆复合氧化物、铝复合氧化物、矽复合氧化物。11.如申请专利范围第9项之方法,其中,氧化钌与载体的比率为0.1/99.9-70/30。12.如申请专利范围第3项之方法,其中,钌复合氧化物之调制法所制得的触媒,系为至少一种选自氧化钛、氧化锆、氧化铝、二氧化矽、钛复合氧化物、锆复合氧化物、铝复合氧化物、矽复合氧化物中的氧化物及氧化钌所成触媒。13.如申请专利范围第3项之方法,其中,以钌复合氧化物之调制法所制得的触媒,系为被载持于至少一种选自氧化钛、氧化锆、氧化铝、二氧化矽、钛复合氧化物、锆复合氧化物、铝复合氧化物、矽复合氧化物中的载体所成的触媒。14.如申请专利范围第3项之方法,其中,藉由钌复合氧化物之调制法所制得的触媒,系为氧化钌含量为1-70重量%之触媒。15.如申请专利范围第3项之方法,其中,藉由钌复合氧化物之调制法所制得的触媒,系为以烧成温度300℃-500℃烧成所制成的触媒。16.如申请专利范围第1项之方法,其中,利用氧以氧化氯化氢时的反应温度为100-500℃。17.如申请专利范围第1项之方法,其中,利用氧以氧化氯化氢时的反应温度为200-380℃。18.如申请专利范围第1项之方法,其中,利用氧以氧化氯化氢时的反应压力为大气压-50气压。19.如申请专利范围第1项之方法,其中,氧为纯氧。20.如申请专利范围第1项之方法,其中,对氯化氢而言,氧的莫耳比为0.2-5。21.如申请专利范围第1项之方法,其中,以大气压换算氯化氢供给速度的量与触媒体积之比GHSV为20-1000h-1。 |
