| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé permettant de former une structure d'interconnexion, selon un processus de fabrication de dispositifs à semiconducteur utilisant des interconnexions en cuivre haute fiabilité. La présente invention s'appuie notamment sur l'utilisation d'une structure constituée d'une couche TiN (32) et d'une couche d'aluminium intermédiaire (34), laquelle fait office de barrière de diffusion. Une couche de cuivre (40) est déposée sur cette couche d'aluminium (34) une fois cette dernière elle-même déposée sur ladite couche TiN (32). On peut alors effectuer une métallisation sensiblement à l'aide de cuivre, la couche d'aluminium (34) présentant une épaisseur réduite au minimum.</p> |
