| 主权项 |
1.一种具有极浅接面之半导体元件的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上形成有一闸极结构;(b)形成一遮蔽氧化层于该闸极结构两侧之基底,并使该遮蔽氧化层与该基底间形成一氮化之介面;(c)施行一离子布植,于该闸极结构两侧的基底中形成淡掺杂区;以及(d)施行一快速热回火,使步骤(c)之掺质趋入该半导体基底中。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该闸极结构包括一导电层及一闸氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该遮蔽氧化层的厚度为20~70埃。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤(b)系在含有NO或N|^2O的气体环境下,以快速热氧化法成长出具有氮化介面的遮蔽氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤(b)包括:(b1)以热氧化法形成一遮蔽氧化层于该闸极结构表面及其两侧之基底;以及(b2)在一含氮气体下进行快速热回火,使该遮蔽氧化层与该基底间形成一氮化之介面。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中步骤(b1)系在900~1000℃的温度下形成厚度为20~70埃的氧化层。7.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中步骤(b2)该含氮气体为NO,N|^2O,NH|^3,或前述之混合。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中步骤(b2)系在900~1150℃的温度下持续5秒钟~5分钟。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤(d)之后,更包括:于该闸极结构的侧壁形成一绝缘侧壁层;以及以该闸极结构及该绝缘侧壁层为罩幕,布植离子于该基底中以形成源极/汲极区,完成一场效电晶体的制作。10.一种具有极浅接面之半导体元件的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上形成有一闸极结构;(b)以热氧化法形成一遮蔽氧化层,其至少覆盖住该闸极结构两侧之基底;(c)在含有NO,N|^2O,或NH|^3的气体环境下进行快速热回火,使该遮蔽氧化层与该基底间形成一氮化之介面;(d)施行一离子布植,于该闸极结构两侧的基底中形成淡掺杂区;以及(e)施行一快速热回火,将步骤(d)之掺质趋入该半导体基底中。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该闸极结构包括一导电层及一闸氧化层。12.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中步骤(b)系在900~1000℃的温度下形成厚度为20~70埃的氧化层。13.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中步骤(c)系在900~1150℃的温度下持续5秒钟~5分钟。14.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中在步骤(e)之后,更包括:于该闸极结构的侧壁形成一绝缘侧壁层;以及以该闸极结构及该绝缘侧壁层为罩幕,布植离子于该基底中以形成源极/汲极区,完成一场效电晶体的制作。 |
