| 主权项 |
1.一种在基质上制造抗熔丝之方法,包含下列步骤:在基质上沉积第一障壁层,该第一障壁层具有已暴露的主要表面;将基质与该沉积之第一障壁层安置于槽中;在该槽内提供一元氧环境;使该第一障壁层接受该一元氧环境有一段时间间隔,足以在该暴露之主要表面上制造界面氧化物层;该界面氧化物层具有大于10埃之厚度;沉积介电层覆盖于该界面氧化物层上;及沉积第二障壁层覆盖于该介电层上。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该槽中提供一元氧环境之该步骤包含下列步骤:制造具有100度摄氏至400度摄氏之周围温度及10毫托耳至500托耳之周围压力之槽环境;将氧气暴露于射频电场,以制造游离氧气;及将该游离气体引入该槽环境,以制造该一元氧环境。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中将氧气暴露于射频电场之该步骤包含下列步骤:以实质上13,500赫兹之频率提供该射频电场。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中该第一障壁层接受该一元氧环境15秒至30分钟之时间间隔。5.根据申请专利范围第2项之方法,其中该槽环境周围温度在160度摄氏至260度摄氏之范围,而且该第一障壁层接受该一元氧环境1分钟至10分钟之间隔。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该足以制造界面氧化物层之时间间隔并非连续的,而且被暴露于周围环境所中断。7.一种在基质上制造抗熔丝之方法,包含下列步骤:在基质上沉积第一障壁层,并且沉积介电层覆盖于该第一障壁层上,该介电层具有已暴露的主要表面;将基质与该沉积之第一障壁层及介电层安置于槽中;在该槽内提供一元氧环境;使该介电层接受该一元氧环境有一段时间间隔,足以在该暴露之主要表面上制造界面氧化物层;该界面氧化物层具有大于10埃之厚度;沉积第二障壁层覆盖于该界面氧化物层上。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中在该槽中提供一元氧环境之该步骤包含下列步骤:制造具有100度摄氏至400度摄氏之周围温度及10毫托耳至500托耳之周围压力之槽环境;将氧气暴露于射频电场,以制造游离氧气;及将该游离气体引入该槽环境,以制造该一元氧环境。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中将氧气暴露于射频电场之该步骤包含下列步骤:以实质上13,500赫兹之频率提供该射频电场。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中该介电层接受该一元氧环境4分钟至30分钟之时间间隔。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中该槽环境周围温度在160度摄氏至260度摄氏之范围,而且该介电层接受该一元氧环境4分钟至6分钟之间隔。12.根据申请专利范围第7项之方法,其中该足以制造界面氧化物层之时间间隔并非连续的,而且被暴露于周围环境所中断。13.一种在基质上制造抗熔丝之方法,包含下列步骤:在基质上沉积第一障壁层,该第一障壁层具有已暴露的主要表面;将基质与该沉积之第一障壁层安置于槽中;在该槽内提供一元氧环境;使该第一障壁层接受该一元氧环境有一段时间间隔,足以在该第一障壁层之该暴露之主要表面上制造第一界面氧化物层;该第一界面氧化物层具有大于10埃之厚度;沉积介电层覆盖于该第一界面氧化物层上;该介电层具有已暴露的主要表面;将基质与该沉积之第一障壁层及该第一界面氧化物层及该介电层安置于槽中;在该槽内提供一元氧环境;使该介电层接受该一元氧环境有一段时间间隔,足以在该介电层之该暴露之主要表面上制造第二界面氧化物层;该第二界面氧化物层具有大于10埃之厚度;及沉积第二障壁层覆盖于该第二界面氧化物层上。图式简单说明:第一图为先行技艺抗熔丝一部份之横切面图。第二图-第九图为依照本发明第一状态之抗熔丝一部份之横切面图。第十图-第十二图为依照本发明第二状态之抗熔丝一部份之横切面图。 |
