发明名称 INTEGRATED OPTOELECTRONIC THIN-FILM SENSOR AND METHOD OF PRODUCING SAME
摘要 <p>Für einen erfindungsgemässen Dünnschichtsensor wird nur eine sehr dünne Halbleiterschicht benötigt, die auf einem Träger aufgebracht wird. Die Schichtdicke der Halbleiterschicht wird dabei durch die Dicke der Fotodetektoren bestimmt. Der Träger trägt zusätzlich zur Halbleiterschicht auch die erforderlichen Teilungsstrukturen. Dadurch weisen die Teilungsstrukturen einen nur sehr geringen Abstand von den Fotodetektoren und der Lichtquelle auf. Durch diesen geringen Abstand kann die Abbildungsqualität wesentlich verbessert werden. Es besteht ausserdem die Möglichkeit, weitere optische Elemente in den Träger zu integrieren.</p>
申请公布号 WO2000063654(A1) 申请公布日期 2000.10.26
申请号 EP2000003509 申请日期 2000.04.18
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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