摘要 |
<p>Für einen erfindungsgemässen Dünnschichtsensor wird nur eine sehr dünne Halbleiterschicht benötigt, die auf einem Träger aufgebracht wird. Die Schichtdicke der Halbleiterschicht wird dabei durch die Dicke der Fotodetektoren bestimmt. Der Träger trägt zusätzlich zur Halbleiterschicht auch die erforderlichen Teilungsstrukturen. Dadurch weisen die Teilungsstrukturen einen nur sehr geringen Abstand von den Fotodetektoren und der Lichtquelle auf. Durch diesen geringen Abstand kann die Abbildungsqualität wesentlich verbessert werden. Es besteht ausserdem die Möglichkeit, weitere optische Elemente in den Träger zu integrieren.</p> |