| 主权项 |
1.一种形成积体电路电容器之方法,该方法至少包含:形成第一导电层于一基板之上;形成一光阻图案于该第一导电层之上;形成矽化光阻于该光阻图案之表面;以该矽化光阻做为蚀刻罩幕蚀刻该第一导电层;去除位于该光阻图案上表面之该矽化光阻,该矽化光阻残留于该光阻图案之侧壁上;去除该光阻图案;以该矽化光阻做为蚀刻罩幕,蚀刻该第一导电层;去除该矽化光阻以形成皇冠型结构;形成介电层于该皇冠型结构之表面;及形成第二导电层于该介电层之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成上述之矽化光阻为在含矽环境中加热形成。3.如申请专利范围第2项之方法,在执行上述之加热步骤之前,更包含利用光照射该光阻图案。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一导电层系选自掺掺杂之复晶矽(dopedpolysilicon)、同步掺杂制程之复晶矽(in-situ dopedpolysilicon)、金属与合金所组成之族群之一。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导电层系选自掺掺杂之复晶矽(dopedpolysilicon)与同步掺杂制程之复晶矽(in-situ dopedpolysilicon)、金属与合金所组成之族群之一。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之矽化光阻厚度约为100至1000埃之间。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之矽化光阻系利用电浆去除。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之矽化光阻系利用物理性轰击去除。9.如申请专利范围第1项之法,其中上述之介电层系选自N/O复合薄膜、O/M/O复合薄膜、BST与Ta2O5所组成之族群之一。10.如申请专利范围第1项之方法,其中完成上述之矽化光阻之后,将该矽化光阻至于含氧环境中处理,以增加对矽材质之蚀刻选择率。11.一种形成皇冠型结构之方法,该方法至少包含:形成一膜层于一基板之上;形成一光阻图案于该膜层之上;形成矽化光阻于该光阻图案之表面;以该矽化光阻做为蚀刻罩幕蚀刻该膜层;去除位于该光阻图案上表面之该矽化光阻,该矽化光阻残留于该光阻图案之侧壁上;去除该光阻图案;以该矽化光阻做为蚀刻罩幕,蚀刻该膜层;及去除该矽化光阻以形成该皇冠型结构。12.如申请专利范围第11项之方法,其中形成上述之矽化光阻为在含矽环境中加热形成。13.如申请专利范围第12项之方法,其中在执行该加热步骤之前,更包含利用光照射该光阻图案。14.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之矽化光阻厚度约为100至1000埃之间。15.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之矽化光阻系利用电浆去除。16.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之矽化光阻系利用物理性轰击去除。17.如申请专利范围第11项之方法,其中完成上述之矽化光阻之后,将该矽化光阻至于含氧环境中处理,以增加对矽材质之蚀刻选择率。18.一种形成皇冠型矽结构之方法,该方法至少包含:形成一矽层于一基板之上;形成一光阻图案于该膜层之上;形成矽化光阻于该光阻图案之表面;以该矽化光阻做为蚀刻罩幕蚀刻该矽层;去除位于该光阻图案上表面之该矽化光阻,该矽化光阻残留于该光阻图案之侧壁上;去除该光阻图案;以该矽化光阻做为蚀刻罩幕,蚀刻该矽层;及去除该矽化光阻以形成该皇冠型矽结构。19.如申请专利范围第18项之方法,其中形成上述之矽化光阻为在含矽环境中加热形成。20.如申请专利范围第19项之方法,其中在执行该加热步骤之前,更包含利用光照射该光阻图案。21.如申请专利范围第18项之方法,其中上述之矽化光阻厚度约为100至1000埃之间。22.如申请专利范围第18项之方法,其中上述之矽化光阻系利用电浆去除。23.如申请专利范围第18项之方法,其中上述之矽化光阻系利用物理性轰击去除。24.如申请专利范围第18项之方法,其中完成上述之矽化光阻之后,将该矽化光阻至于含氧环境中处理,以增加对矽材质之蚀刻选择率。图式简单说明:第一图为本发明之形成电晶体于基板上之截面图。第二图为本发明之形成绝缘层于基板上的截面图。第三图为本发明之形成接触窗于基板上的截面图。第四图为本发明之形成光阻图案与第一导电层于绝缘层上的截面图。第五图为本发明之形成矽化光阻于光阻图案表面的截面图。第六图为本发明之蚀刻第一导电层的截面图。第七图为本发明之去除光阻图案上表面之矽化光阻之截面图。第八图为本发明去除光阻图案之截面图。第九图为本发明以矽化光阻为罩幕蚀刻第一导电层之截面图。第十图为本发明去除矽化光阻之截面图以及形成介电层、第二导电层之截面图。 |
