发明名称 METHOD AND APPARATUS FOR LASER HEAT TREATMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>A laser beam (102) of 350-800 nm wavelength generated by a pulsed laser (101) is shaped into a line beam (300) of width (W0) and length (L0). The resulting beam (300) is emitted onto a film material (201) of amorphous or polycrystalline silicon on a substrate (203) for a heat treatment.</p>
申请公布号 WO2000054314(P1) 申请公布日期 2000.09.14
申请号 JP2000001375 申请日期 2000.03.08
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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