| 主权项 |
1.一种金属导线制程,该制程包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一绝缘层;在该绝缘层中依序形成一沟渠与一介层窗开口,该介层窗开口位于该沟渠下方,且该介层窗开口底部露出该半导体基底;在该沟渠与该介层窗开口中依序形成一第一阻障层与一第二阻障层,该第二阻障层位于该第一阻障层上;进行微影与蚀刻制程,去除在该沟渠周缘的该第一阻障层与该第二阻障层,暴露出该绝缘层,留下在该沟渠与该介层窗开口中的该第一阻障层与该第二阻障层;在该第二阻障层与该绝缘层上形成一金属层,用以填满该沟渠与该介层窗开口;以及进行研磨步骤,去除在该绝缘层上多余的该金属层,于是在该沟渠中形成一金属配线层,以及在该介层窗开口中形成一介层窗。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该绝缘层包括二氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该绝缘层包括硼磷矽玻璃(BPSG)。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该绝缘层包括磷矽玻璃(PSG)。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该沟渠的形成方式包括微影与非等向性蚀刻步骤,以终止点的方式来控制蚀刻的深度。6.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该沟渠的形成方式包括微影与非等向性蚀刻步骤,以时间长短来控制蚀刻的深度。7.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该介层窗开口的形成方式包括微影与非等向性蚀刻步骤。8.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一阻障层包括难熔金属材料。9.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一阻障层包括钽(Ta)。10.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一阻障层包括钛(Ti)。11.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第二阻障层包括难熔金属材料。12.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第二阻障层包括氮化钽(TaN)。13.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第二阻障层包括氮化钛(TiN)。14.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该金属层包括铜。15.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该金属层包括铜,该第一阻障层包括钽(Ta)以及该第二阻障层包括氮化钽(TaN)。16.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该研磨步骤包括化学机械研磨法。17.一种铜导线制程,该制程包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一绝缘层;在该绝缘层中形成一沟渠;在该沟渠中依序形成一第一阻障层与一第二阻障层,该第二阻障层位于该第一阻障层上;进行微影与蚀刻制程,去除在该沟渠周缘的该第一阻障层与该第二阻障层,暴露出该绝缘层,留下在该沟渠中的该第一阻障层与该第二阻障层;在该第二阻障层与该绝缘层上形成一金属铜层,用以填满该沟渠;以及进行研磨步骤,去除在该绝缘层上多余的该金属铜层,于是在该沟渠中形成一金属配线层。18.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该绝缘层包括二氧化矽。19.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该绝缘层包括硼磷矽玻璃(BPSG)。20.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该绝缘层包括磷矽玻璃(PSG)。21.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该沟渠的形成方式包括微影与非等向性蚀刻步骤。22.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该第一阻障层包括难熔金属材料。23.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该第一阻障层包括钽(Ta)。24.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该第二阻障层包括难熔金属材料。25.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该第二阻障层包括氮化钽(TaN)。26.如申请专利范围第17项所述之制程,其中该研磨步骤包括化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A到第一图D,其所绘示的为习知一种双重嵌金制程步骤的剖面示意图;以及第二图A到第二图F,其所绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种铜导线制程步骤的剖面示意图。 |
