| 摘要 |
<p>Es wird vorgeschlagen, die Emitterkurzschlußstruktur einer Mehrschichtdiode durch das Vorsehen von Rillen zu realisieren, die die oberste Schicht (2) der Mehrschichtdiode durchtrennen. Eine darauf aufgebrachte Metallschicht (20) schließt die oberste mit der darunterliegenden Schicht (3) elektrisch kurz.</p> |
