| 发明名称 |
AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE SPLIT-GATE MEMORY CELL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1027734(A1) |
申请公布日期 |
2000.08.16 |
| 申请号 |
EP19990959136 |
申请日期 |
1999.06.03 |
| 申请人 |
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
YEH, BING;HU, YAW-WEN |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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