发明名称 Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen/elektrostriktiven Dickfilms unter Verwendung einer Impf- oder Keimschicht
摘要 Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen/elektrostriktiven Dickfilms unter Verwendung einer Keimschicht. Auf einem Substrat wird die Keimschicht ausgebildet, welche aus einer keramischen Sol-Lösung oder einer keramischen Paste gebildet wird, welche beide identisch oder ähnlich in ihrer Zusammensetzung mit dem piezoelektrischen/elektrostriktiven Film sind. Die keramische Paste wird aus einer Mischung eines keramischen Oxidpulvers mit einer Partikelgröße von 5 mum oder weniger, hergestellt aus piezoelektrischen/elektrostriktiven Elementen auf Pb- und/oder Ti-Basis durch eine nicht explosive Oxidations/Reduktions-Verbrennungsreaktion bei 100-500 DEG C, sowie einer keramischen Sol-Lösung in Wasser oder einem organischen Lösungsmittel identisch oder ähnlich in der Zusammensetzung mit dem keramischen Oxidpulver hergestellt. Sodann wird die Keimschicht einer Nachbehandlung unterworfen. Ein piezoelektrischer/elektrostriktiver Film wird direkt auf der Keimschicht ausgebildet. Alternativ hierzu kann der piezoelektrische/elektrostriktive Film separat ausgebildet und gesintert werden und dann auf die Keimschicht aufgebracht werden. Bei niedriger Temperatur wird dann eine thermische Behandlung durchgeführt, um die Verbindung zwischen dem Film und dem Substrat auszuhärten. Somit wird es dem piezoelektrischen/elektrostriktiven Dickfilm möglich gemacht, eine ausgezeichnete Haftung an dem Substrat bei der thermischen Behandlung mit niedriger Temperatur zu haben.
申请公布号 DE19927972(A1) 申请公布日期 2000.07.06
申请号 DE1999127972 申请日期 1999.06.18
申请人 SAMSUNG ELECTRO - MECHANICS CO., LTD. 发明人 YUN, SANG KYEONG;KIM, DONG-HOON
分类号 H01L41/22;H01L41/313;H01L41/319 主分类号 H01L41/22
代理机构 代理人
主权项
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