| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,适用于一基底上;一介电层位于该基底上;一节点接触窗位于该介电层中;该方法至少包括:以电浆化学气相沈积法沈积一掺杂非晶矽层于该介电层之上;以及定义该掺杂非晶矽层,在该节点接触窗的上方形成一下电极。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该电浆化学气相沈积法包括使用矽烷类分子为气源。3.如申请专利范围第2项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该电浆化学气相沈积法包括使用钝气为携带气体。4.如申请专利范围第3项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该钝气系选自于氢气、氦气和氩气所构成族群的其中之一或组合。5.如申请专利范围第2项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该电浆化学气相沈积法包括使用掺质气体为掺杂气源。6.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该掺质气体系选自由B2H6.PH3和AsH3所构成族群的其中之一或组合。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该电浆化学气相沈积法系在400℃以下进行。8.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该电浆化学气相沈积法包括无线电频率-电浆化学气相沈积法。9.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该电浆化学气相沈积法包括电子回旋共振-电浆化学气相沈积法。10.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该电浆化学气相沈积法包括高密度电浆-电浆化学气相沈积法。11.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该方法更包括:进行一播晶种步骤;以及进行一高真空回火步骤,在该下电极的表面形成半球形矽晶粒。12.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该高真空回火步骤系在550-570℃之下进行。图式简单说明:第一图A-第一图C是习知之DRAM电容器下电极的制造流程剖面图;以及第二图A-第二图C是依据本发明之一较佳实施例的一种DRAM电容器下电极的制造流程剖面图。 |
