发明名称 | 半导体元件、特别是太阳能电池及其制造工艺 | ||
摘要 | 一种半导体元件(50),特别是太阳能电池,至少具有由单晶或多晶结构构成的半导体基体材料(40)。半导体基体材料(40)至少部分地包括具有化学成分FeS<SUB>2</SUB>的二硫化铁,对半导体基体材料(40)进行清洗以便得到一个规定的纯度。当半导体基体材料(40)由至少一层二硫化铁(51)、至少一层硼(52)和至少一层磷(53)来制造时,可得到最大的效益。当将该半导体元件用作太阳能电池时,可得到最佳的类型。 | ||
申请公布号 | CN1253665A | 申请公布日期 | 2000.05.17 |
申请号 | CN98802478.0 | 申请日期 | 1998.10.23 |
申请人 | 纳恩吉奥·拉·维克伽 | 发明人 | 纳恩吉奥·拉·维克伽 |
分类号 | H01L31/032 | 主分类号 | H01L31/032 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;张志醒 |
主权项 | 1.一种半导体元件,特别是太阳能电池,至少具有一种由单晶或多晶态结构构成的半导体基体材料(20,40),该半导体基体材料至少部分地由具有化学成分FeS2的二硫化铁构成,并为了达到一定程度的纯度而被清洗,其特征在于:将该至少部分地具有化学成分为FeS2的二硫化铁的半导体基体材料(20,40)与硼(52)和磷(53)组合在一起或被硼(52)和/或磷(53)掺杂。 | ||
地址 | 瑞士阿斯康纳 |