发明名称 半导体元件、特别是太阳能电池及其制造工艺
摘要 一种半导体元件(50),特别是太阳能电池,至少具有由单晶或多晶结构构成的半导体基体材料(40)。半导体基体材料(40)至少部分地包括具有化学成分FeS<SUB>2</SUB>的二硫化铁,对半导体基体材料(40)进行清洗以便得到一个规定的纯度。当半导体基体材料(40)由至少一层二硫化铁(51)、至少一层硼(52)和至少一层磷(53)来制造时,可得到最大的效益。当将该半导体元件用作太阳能电池时,可得到最佳的类型。
申请公布号 CN1253665A 申请公布日期 2000.05.17
申请号 CN98802478.0 申请日期 1998.10.23
申请人 纳恩吉奥·拉·维克伽 发明人 纳恩吉奥·拉·维克伽
分类号 H01L31/032 主分类号 H01L31/032
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;张志醒
主权项 1.一种半导体元件,特别是太阳能电池,至少具有一种由单晶或多晶态结构构成的半导体基体材料(20,40),该半导体基体材料至少部分地由具有化学成分FeS2的二硫化铁构成,并为了达到一定程度的纯度而被清洗,其特征在于:将该至少部分地具有化学成分为FeS2的二硫化铁的半导体基体材料(20,40)与硼(52)和磷(53)组合在一起或被硼(52)和/或磷(53)掺杂。
地址 瑞士阿斯康纳