| 主权项 |
1.一种互补式金氧半导体影像感测器之结构,包括:一基底,该基底包括一金氧半导体,该金氧半导体具有一闸极以及一源极/汲极区,且该闸极位于该基底上,该源极/汲极区位于该闸极两侧下方之该基底中;一感测区,该感测区位于该基底中,且该感测区连接该源极/汲极区;以及一挡遮层,该挡遮层位于该基底上,且该挡遮层包围该感测区。2.如申请专利范围第1项所述之互补式金氧半导体影像感测器之结构,其中该挡遮层之材质包括多晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之互补式金氧半导体影像感测器之结构,其中该挡遮层与该基底之间更包括一绝缘层。4.如申请专利范围第1项所述之互补式金氧半导体影像感测器之结构,其中该感测区与该基底具有不同之电性。5.如申请专利范围第1项所述之互补式金氧半导体影像感测器之结构,其中该闸极包括一多晶矽层以及该多晶矽层上方之矽化金属层所组成之一导电层。6.一种互补式金氧半导体影像感测器之结构,包括:一基底,该基底包括一金氧半导体,该金氧半导体具有一闸极以及一源极/汲极区,且该闸极位于该基底上,该源极/汲极区位于该闸极两侧下方之该基底中;一感测区,该感测区位于该基底中,且该感测区连接该源极/汲极区;以及一多晶矽层,该多晶矽层位于该基底上,且该多晶矽层包围该感测区。7.如申请专利范围第6项所述之互补式金氧半导体影像感测器之结构,其中该感测区与该基底具有不同之电性。8.如申请专利范围第6项所述之互补式金氧半导体影像感测器之结构,其中该闸极包括一多晶矽层与该多晶矽层上方之矽化金属层所组成之一导电层。9.一种互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,适用于一基底,该基底上已形成一绝缘层,包括:于该绝缘层上,同时形成一闸极以及一挡遮层;于该闸极两侧之该基底中形成一源极/汲极区;以及于该挡遮层所围成之区域内的该基底中形成一感测区,且与该源极/汲极区相连。10.如申请专利范围第9项所述之互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,其中该挡遮层之材质包括多晶矽。11.如申请专利范围第9项所述之互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,其中该感测区与该基底具有不同之电性。12.如申请专利范围第9项所述之互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,其中于形成该闸极之步骤之后与形成该源极汲极区之步骤之前,更包括于该闸极之周围侧壁形成一间隙壁之步骤。13.如申请专利范围第9项所述之互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,其中于形成该源极/汲极之步骤中,更包括进行一轻掺杂汲极之步骤。14.一种互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,适用于一基底,该基底上已形成一绝缘层,包括:于该绝缘层上,定义形成一闸极以及一多晶矽层;于该闸极两侧之该基底中形成一源极/汲极区;以及于该多晶矽层所围成之区域内的该基底中形成一感测区,且与该源极/汲极区相连。15.如申请专利范围第14项所述之互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,其中该感测区与该基底具有不同之电性。16.如申请专利范围第14项所述之互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,其中于形成该闸极之步骤之后与形成该源极汲极区之步骤之前,更包括于该闸极之周围侧壁形成一间隙壁之步骤。17.如申请专利范围第14项所述之互补式金氧半导体影像感测器之制造方法,其中于形成该源极/汲极之步骤中,更包括进行一轻掺杂汲极之步骤。图式简单说明:第一图A系显示习知一种CMOS主动式图素感测胞之电路图;第一图B系显示第一图A中感测胞的布局图;第一图C系显示第一图B中感测胞沿I-I线之剖面图;第二图A系显示习知一种CMOS影像感测器之感测胞的布局图;第二图B系显示第二图A中感测胞沿II-II线之剖面图;第三图A至第三图C系显示根据本发明较佳实施例之CMOS影像感测器之制造流程剖面图;以及第三图D系显示第三图C的布局图。 |
