| 发明名称 | 光电器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种光电器件及其制造方法。光电器件将太阳光等的光能直接转变成电能。在n型单晶硅基板(1)的表面上形成多个凹凸部后,对基板(1)的表面上施行各向同性刻蚀,做成基板(1)表面凹凸部的圆形谷底(b)的部分,通过本征非晶态硅层(2),在基板(1)的表面上设置p型非晶态硅层(3)。各向同性刻蚀后的表面形状为表面凹凸部的谷底的部分略带圆形,并在其上能沉积均匀膜厚的非晶态硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1251210A | 申请公布日期 | 2000.04.19 |
| 申请号 | CN98803569.3 | 申请日期 | 1998.03.19 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 中井拓夫;谷口裕幸;家永照彦;門永泰男 |
| 分类号 | H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/04 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1.一种光电器件，其特征在于，在将非晶态或者微晶硅层设置在形成多个凹凸部的结晶硅基板上的光电器件中，形成所述基板凹凸部的圆形谷底的部分。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||