| 摘要 |
<P>La présente invention concerne le domaine des dispositifs à semi-conducteur sensibles aux rayonnements infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et adaptés comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique des appareils de visée ou de pointage et a plus particulièrement pour objet un procédé de durcissement d'un détecteur en matériau semi-conducteur contre un rayonnement apte à générer des défauts du type lacune-lacune ou lacune-phosphore dans ce matériau, caractérisé en ce qu'il consiste à implanter dans ce matériau, des ions aptes à migrer, après exposition du matériau audit rayonnement, vers ces défauts et à former, au moins en partie, des défauts du type lacune-cuivre.</P>
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