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发明名称 MEMORY ELEMENT USING TWO-VALLEY SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 US3508210(A) 申请公布日期 1970.04.21
申请号 USD3508210 申请日期 1966.04.12
申请人 BELL TELEPHONE LAB. INC. 发明人 MICHIYUKI UENOHARA
分类号 G11C11/39;H03B9/12;H03K3/02;(IPC1-7):G11C11/36 主分类号 G11C11/39
代理机构 代理人
主权项
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