| 发明名称 | 集成半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明的集成半导体存储装置,具有一半导体主体,在该半导体主体中集成了选择晶体管(10)和存储电容器(20)。该存储电容器(20)具有一安置在两个电极(21、23)之间的介质层(23)。这些电极中至少上电极(23)是层式结构的,该电极具有一面向介质层(22)的铂层(23a)和位于其上的较厚的非贵重金属(23)。 | ||
| 申请公布号 | CN1241296A | 申请公布日期 | 2000.01.12 |
| 申请号 | CN97198379.8 | 申请日期 | 1997.09.09 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | G·欣德勒;W·哈特纳;F·兴特迈尔;C·马祖雷－埃斯佩佐;R·布鲁赫豪斯;W·赫恩莱恩;M·恩格尔哈德特 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01G4/00 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1.集成半导体存储装置，该装置具有一在其中集成了选择晶体管(10)的半导体主体，以及具有各含一介质层(22)的存储电容器(20)，该介质层被安置在上下电极(21、23)之间，其中至少上电极(23)是层状结构，并且电极层之一是一铂层(23a)，其特征在于，铂层(23a)位于介质层(22)上，并且一非贵重金属层(23b)位于该铂层(23a)上，该非贵重金属层与铂层(23a)相比具有较大的厚度。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||