具有粗糙表面储存节点的电容器制造方法

摘要

一种具有粗糙表面储存节点电容器的制造方法，提供一具有字元线与位元线并具有一介电层覆盖其上之基底，其中介电层中形成有一接触窗开口，暴露出主动区。接着，形成一导电层填满接触窗开口而由主动区接出，并于导电层上依序形成一第一半球颗粒复晶矽层与一绝缘层。续定义绝缘层、第一半球颗粒复晶矽层与导电层，且再对基底形成一第二半球颗粒复晶矽层。再以乾蚀刻法去除第二半球颗粒复晶矽层，而暴露出绝缘层与介电层表面。之后，再去除绝缘层，则形成具有粗糙表面之储存节点。本发明之制造方法系以绝缘层作为第一半球颗粒复晶矽层之罩幕层，因此第一半球颗粒复晶矽层得以保持其圆滑且粗糙的表面，故不致产生电流遗漏现象。

主权项

1.一种电容器的制造方法,其包括:在一半导体基底之一表面上形成一介电层,该介电层中具有一接触窗开口;在该介电层上形成一导电层,该导电层填入该接触窗开口;在该导电层上形成一第一半球颗粒复晶矽层;在该第一半球颗粒复晶矽层上形成一绝缘层;定义该绝缘层、该第一半球颗粒复晶矽层与该导电层;对该基底形成一第二半球颗粒复晶矽层,覆盖住该绝缘层、该导电层暴露出之一表面与该介电层;回蚀刻该第二半球颗粒复晶矽层,暴露出该绝缘层表面与该介电层表面;以及去除该绝缘层,完成该电容器之一储存节点。2.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中该导电层包括复晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中该绝缘层包括氧化物层。4.如申请专利范围第3项所述电容器之制造方法,其中该氧化物层包括以加强式电浆化学气相沉积法形成。5.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中该绝缘层厚度约为500-1000A左右。6.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中该介电层包括氧化物层。7.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中去除该绝缘层包括以湿蚀刻法进行。8.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中去除该绝缘层包括以氢氟酸进行。9.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中蚀刻第二该半球颗粒复晶矽层包括以乾蚀刻法进行。10.如申请专利范围第1项所述之电容器制造方法,其中该半导体基底更包括字元线与位元线等。图式简单说明:第一图A与第一图B系显示一种习知技艺储存节点上形成有半球颗粒复晶矽层的剖面图;以及第二图A至第二图E系显示根据本发明较佳实施例之储存节点上形成有半球颗粒复晶矽层的制造流程剖面图。