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<p>반도체 기판 상에, 소자 분리 영역, 활성 영역 및 활성 영역 상에 굴곡각(bent angle; θ)를 갖는 굴곡부를 갖는 게이트 전극을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 소자 분리 영역과 활성 영역과의 경계가 상기 게이트 전극을 교차하는 경계의 선분이 게이트 전극의 굴곡부의 굴곡각 θ의 2등분선에 대하여 대략적으로 평행하게 되어 있다. 이 반도체 장치는, MOSFET의 게이트 전극과 활성 영역의 위치 관계가 약간 쉬프트하는 경우에도, 게이트 전극의 폭 변화가 작고 이에 따라서, 특성의 변화도 작다.</p> |
