| 摘要 |
본 발명은 적층된 커패시터내의 전극과 플러그 사이의 도전성을 개선시키는 방법에 관한 것이고, 전극과 플러그 사이에는 산화물이 형성된다. 본 발명의 방법은 전극과 플러그 사이의 도전성을 증가시키기 위해 산화물에 이온을 충돌시키는 단계 및 전극 재료와 플러그 재료를 산화물과 혼합하는 단계를 포함한다. 적층된 커패시터내의 전극 내부에 확산 배리어를 형성하는 방법은 전극에 결합되는 플러그를 가진 적층된 커패시터를 제공하는 단계 및 전극에 이온을 충돌시켜 도전성을 가진 확산 배리어를 전극 내부에 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 적층된 커패시터는 전극, 저장 노드로 액세스하기 위한 플러그 및 전극 내부에 위치하여 전극과 플러그 사이의 도전성을 감소시키는 재료의 확산을 방지하는 배리어층을 포함한다. |
