| 主权项 |
1.一种在氯化氢气体中去除水份的吸收剂,包含被 承载于一固体载体上的5-15wt%MgCl2,其中该载体具有 高的氯化氢抵抗力及300-2500m2/g的表面积。2.如申 请专利范围第1项之吸收剂,其中该载体为活性碳 。3.如申请专利范围第1项之吸收剂,其中10wt%MgCl2 被沈积在当作该载体之活性碳上。4.如申请专利 范围第1项之吸收剂,其中该载体为矽胶。5.一种在 氮化氢气体中去除水份之吸收剂的制备方法,包含 下列步骤: 将5-15wt%MgCl2沈积于一活性碳基材上以制作该吸收 剂; 乾燥该被承载于活性碳上的MgCl2;以及 藉由加热到150℃(302℉)至300℃(572℃)的温度范围以 活化该吸收剂。6.如申请专利范围第5项之方法,包 括沈积10wt%MgCl2于该活性碳基材上。7.如申请专利 范围第5项之方法,包括使用初起润湿技术(incipient wetness technique)将MgCl2沈积于该基材上。8.如申请专 利范围第5项之方法,其中该活化过程是在真空下 进行。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该活化 过程是在200℃(392℉)之真空下进行。10.一种在氯 化氢气体中去除水份的方法,其中水在氯化氢气体 中之分压为0.01至0.5torr,该方法系藉由将含有水份 之氯化氢流通过一由5-15wt%MgCl2被承载于一活性碳 基材上所构成之吸收剂来达成。11.如申请专利范 围第10项之方法,包括活化该吸收剂之步骤,该步骤 是在该含水氯化氢流通过该吸收剂之前,于真空下 加热至温度200℃(392℉)以活化该吸收剂。12.如申 请专利范围第10项之方法,其中10wt%MgCl2存在于该活 性碳上。13.一种在氯化氢气体中去除水份之吸收 剂的制备方法,包含下列步骤: 将5-15wt%MgCl2沈积于一活性碳基材上以制作该吸收 剂,并乾燥该吸收剂;以及 藉由在氮气下加热到270℃(518℉)至400℃(752℉)之温 度范围以活化该吸收剂。14.如申请专利范围第13 项之方法,其中10wt%MgCl2存在于该活性碳上。15.如 申请专利范围第13项之方法,其中该活化在300℃(573 ℉)之温度下进行。图式简单说明: 第一图为所选用之各金属氯化物的水比容量对水 分压图。 第二图为本发明中各吸收剂组成的水比容量对水 分压图。 第三图为本发明固定在活性碳和矽胶中之优选组 成吸收剂的水比容量对水分压图。 第四图为本发明在温度200℃(392℉)之真空下活化 之优选组成吸收剂与矽胶比较的水比容量对水分 压图。 |
