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发明名称 METHOD FOR FORMING GATE OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 KR100227641(B1) 申请公布日期 1999.11.01
申请号 KR19960074943 申请日期 1996.12.28
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS IND. CO.,LTD 发明人 KIM, JIN-TAE;JEONG, YEONG-SEOK
分类号 H01L21/22;H01L21/314;(IPC1-7):H01L21/22 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
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