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<p>반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 라인은, 상기 반도체 장치를 제조하는 반도체 제조 공정을 실행하기 위한 메인 스트림 라인과; 반도체 제조 라인에서 메인 스트림 라인으로부터 분리 배치된 분리 라인을 포함한다. 분리 라인은 반도체 제조 공정 중에서, 메인 스트림 라인의 오염을 일으킬 수 있는 재료가 웨이퍼의 표면상에 나타나게 하는 오염을 포함하는 반도체 제조 공정을 위해 제공되고, 분리 라인에서 웨이퍼의 표면으로부터 오염을 일으키는 재료를 제거하는 처리 이후에, 웨이퍼는 분리 라인에서 메인 스트림 라인으로 복귀된다.</p> |
