发明名称 ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD ION BEAM SOURCE AND VARIABLE SLIT MECHANISM
摘要 <p>본 발명은, 이온을 저 에너지로 주입하기에 적합한 이온주입장치 및 방법과 이온 빔 소오스와, 이온주입장치용 가속전극으로서 사용될 수 있는 가변 슬릿 기구에 관한 것이다. 본 발명에 있어서는, 이온 소오스가 빔 전위가 인가된 공간 내에서 이온을 발생시키고, 가속전극이 상기 빔 전위보다 낮은 가속전위를 인가받아, 상기 이온 소오스에서 발생된 이온을 견인하고 가속시켜 이온 빔을 형성시키며, 질량 분광계가 상기 가속전극에 의해 가속된 이온 빔에서 소망하는 이온을 추출하여, 상기 소망하는 이온만을 실질적으로 함유하는 이온 빔을 배출하고, 감속전극이 상기 빔 전위와 가속전위 사이의 중간 값인 감속전위를 인가받아, 상기 질량 분광계에서 배출된 상기 이온 빔을 감속시키며, 필터 전자석이 상기 감속전극에 의해 감속된 이온 빔에서 소망하는 에너지를 가진 이온을 추출하여, 상기 소망하는 에너지를 가진 이온만을 실질적으로 함유하는 이온 빔을 배출하도록 되어 있다. 따라서, 이온 빔의 발산을 억제할 수 있고, 이온을 우수한 제어성을 가지면서 저 에너지로 주입할 수 있다.</p>
申请公布号 KR19990078443(A) 申请公布日期 1999.10.25
申请号 KR19990011206 申请日期 1999.03.31
申请人 다마이 다다모토 发明人 다마이 다다모토
分类号 H01J37/05;H01J27/02;H01J37/09;H01J37/317;H01L21/265 主分类号 H01J37/05
代理机构 代理人
主权项
地址