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<p>기판 표면의 결정면(crystal plane)이 (100)면이고 배향면의 결정면이 {100}면인 n형 반도체 기판상에 에피택셜층의 초기층을 형성한 후, 그 초기층의 표면상에 막 두께가 400 내지 600Å인 실리콘 산화막을 열산화법에 의해 형성하고, 또 실리콘 산화막상에 CVD 공정에 의해 산화막의 성장을 저지하기 위한 마스크가 되는 막 두께 600 내지 1000Å인 실리콘 질화막을 성장시킨 후, 선택적으로 건조 에칭하여 초기홈이 형성된 n형 에피택셜층을 형성한다. 다음으로, 질화막을 마스크로서 이용하여 산화 온도 1100 내지 1200℃에서 홈의 내부면을 열산화하고, 막 두께가 0.6 내지 0.8인 LOCOS 산화막을 형성하면, 초기홈이 U자형 홈이 된다. 홈의 측벽면의 결정면은 {100}면에 대해 0 내지 30도의 각도로 경사져 있다.</p> |
