| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATION ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100224706(B1) |
申请公布日期 |
1999.10.15 |
| 申请号 |
KR19960030469 |
申请日期 |
1996.07.25 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
LEE, GI HUN |
| 分类号 |
H01L21/316;(IPC1-7):H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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