| 发明名称 |
PROCEDE DE REALISATION DE GRILLE DE TRANSISTORS MOS A FORTE TENEUR EN GERMANIUM |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2765395(B1) |
申请公布日期 |
1999.09.03 |
| 申请号 |
FR19970008457 |
申请日期 |
1997.06.30 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
DUTARTRE DIDIER |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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